一种高压逆变保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高压逆变保护电路，包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管和第一稳压二极管；第一稳压二极管的阳极分别通过第三电阻与芯片UCC25600的第三脚连接、通过第六电容接地；第七电容的一端接芯片UCC25600的第三脚，另一端接地，第四电阻和第七电容并联连接。本发明专利技术在逆变器的高压输出端+HV1或+HV2开路时，经过第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻和第二电阻的采样，向芯片UCC25600的第三脚输入一个高电平信号，此时芯片UCC25600进入锁机状态，有效的保护半桥电路和逆变器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电视机，尤其涉及一种高压逆变保护电路。 [
技术介绍
]现有技术中，采用LLC控制电路的芯片UCC25600应用在高压逆变控制电路里，该芯片UCC25600的PIN5和PIN8输出驱动信号，驱动变压器来驱动半桥电路中的2个MOS管交替工作，相位相差180度，之后再通过逆变器的高压逆变输出类似正弦波的高频电压，来驱动背光工作；其中逆变器的两个输出端+HVl和+HV2为高压输出端。但当逆变器的高压输出端+HVl或+HV2开路时，则有可能会造成半桥电路和逆变器烧坏，影响电路的正常工作。本专利技术提供了一种高压逆变保护电路，在逆变器的高压输出端+HVl或+HV2开路时，能有效的保护电路。本专利技术的技术方案是一种高压逆变保护电路，包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管和第一稳压二极管；第一电容的一端接逆变器的其中一个高压输出端，另一端依次通过第二电容、第三电容和第四电容与逆变器的另一个高压输出端连接；第二电容和第三电容的连接点接地，第一电阻与第二电容并联连接，第二电阻与第三电容并联连接；第一电容和第二电容的连接点与第一二极管的其中一个阳极连接，第三电容和第四电容的连接点与第一二极管的另一个阳极连接，第一二极管的阴极分别与第一稳压二极管的阴极和第五电容的一端连接，第五电容的另一端接地，第一稳压二极管的阳极分别通过第三电阻与芯片UCC25600的第三脚连接、通过第六电容接地；第七电容的一端接芯片UCC25600的第三脚，另一端接地， 第四电阻和第七电容并联连接。本专利技术的高压逆变保护电路，在逆变器的高压输出端+HVl或+HV2开路时，经过第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻和第二电阻的采样，向芯片UCC25600的第三脚输入一个高电平信号，此时芯片UCC25600进入锁机状态，有效的保护半桥电路和逆变器，保证电路的正常工作。附图说明图1是本专利技术的高压逆变保护电路在一实施例中的电路原理图；图2是本专利技术的高压逆变保护电路在另一实施例中的电路原理图；图3是本专利技术的高压逆变保护电路在又一实施例中的电路原理图。4[具体实施方式]下面结合附图对本专利技术的具体实施例做一详细的阐述。如图1，本专利技术的高压逆变保护电路，包括第一电容Cl、第二电容C2、第三电容 C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管Dl和第一稳压二极管Zl ；第一电容Cl的一端接逆变器的其中一个高压输出端+HV1，另一端依次通过第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4与逆变器的另一个高压输出端+HV2连接；第二电容C2 和第三电容C3的连接点接地，第一电阻Rl与第二电容C2并联连接，第二电阻R2与第三电容C3并联连接；第一电容Cl和第二电容C2的连接点VSl与第一二极管Dl的其中一个阳极 1连接，第三电容C3和第四电容C4的连接点VS2与第一二极管Dl的另一个阳极3连接，第一二极管Dl的阴极2分别与第一稳压二极管Zl的阴极2和第五电容C5的一端连接，第五电容C5的另一端接地，第一稳压二极管Zl的阳极1分别通过第三电阻R3与芯片UCC25600 的第三脚Pin3连接、通过第六电容C6接地；第七电容C7的一端接芯片UCC25600的第三脚 Pin3,另一端接地，第四电阻R4和第七电容C7并联连接。在逆变器的高压输出端+HVl或+HV2开路时，经过第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻Rl和第二电阻R2的采样，向芯片UCC25600的第三脚pin3 输入一个高电平信号，此时芯片UCC25600进入锁机状态，有效的保护半桥电路和逆变器， 保证电路的正常工作。另外，为防止逆变器的高压输出端+HVl和+HV2同时开路，如图2，本专利技术还包括第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第i^一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13、第五电阻R5、第六电阻R6、 第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第i^一电阻R11、第十二电阻R12、 NPN三极管Ql和第一 PNP三极管Q2 ；第二二极管D2的阳极1与第一电容Cl和第二电容C2的连接点VSl连接，第三二极管D3的阳极1与第三电容C3和第四电容C4的连接点VS2连接；第二二极管D2的阴极2 分别与第四二极管D4的其中一个阴极3、第八电容C8的一端、第十二电阻R12的一端连接， 第十二电阻R12和第八电容C8的另一端分别接地；第三二极管D3的阴极2分别与第四二极管D4的另一个阴极1、第九电容C9的一端、第五电阻R5的一端连接，第五电阻R5和第九电容C9的另一端分别接地；第四二极管D4的阳极2分别与第六电阻R6的一端、第十电容 ClO的一端、第七电阻R7的一端连接，第六电阻R6的另一端接电源(图中所示为+12V)，第十电容ClO的另一端接地，第七电阻R7的另一端分别与NPN三极管Ql的基极1、第九电阻 R9的一端连接、通过第十二电容C12接地、通过第八电阻R8接地，NPN三极管Ql的发射极 3接地，集电极2通过第十一电阻Rll分别与第十三电容C13的一端、第十电阻RlO的一端和第一 PNP三极管Q2的基极1连接，第十三电容C13和第十电阻RlO的另一端分别与第一 PNP三极管Q2的发射极3连接，第一 PNP三极管Q2的发射极3接电源(图中所示为+5V)； 第九电阻R9的另一端分别与第一 PNP三极管Q2的集电极2、第五二极管D5的阳极1、第十一电容Cll的一端连接，第十一电容Cll的另一端接地，第五二极管D5的阴极2接芯片 UCC25600 的第三脚 pin3。当逆变器的高压输出端+HVl和+HV2同时开路时，经过第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻Rl和第二电阻R2的采样，再经过第二二极管D2、第三二极管D3、第八电容C8、第九电容C9、第十二电阻R12、第五电阻R5和第四二极管组成的与门电路，当采样信号VSl和VS2同时为高电平时，触发由第十电容C10、第七电阻R7、第十二电容C12、第八电阻R8、第九电阻R9、第i^一电阻R11、第十电阻R10、第十三电容C13、 NPN三极管Q1、第一 PNP三极管Q2、第五二极管D5、第i^一电容Cll组成的可控硅电路，此时芯片UCC25600的第三脚pin3会输入一个大于2V的电压，使芯片UCC25600进入锁机状态，有效的保护电路。为了防止高压输出拉弧，如图3，本专利技术还包括第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十四电容C14、第十五电容C15和第二 PNP三极管Q3 ；第十四电阻R14的一端与第一电容Cl和第二电容C2的连接点VSl连接，第十三电阻R13的一端与第三电容C3和第四电容C4的连接点VS2连接，第十三电阻R13和第十四电阻R14的另一端分别与第六二极管D6的阳极1连接，第六二极管D6的阴极2分别与第十四电容C14的一端、第十五电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压逆变保护电路，其特征在于，包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管和第一稳压二极管；第一电容的一端接逆变器的其中一个高压输出端，另一端依次通过第二电容、第三电容和第四电容与逆变器的另一个高压输出端连接；第二电容和第三电容的连接点接地，第一电阻与第二电容并联连接，第二电阻与第三电容并联连接；第一电容和第二电容的连接点与第一二极管的其中一个阳极连接，第三电容和第四电容的连接点与第一二极管的另一个阳极连接，第一二极管的阴极分别与第一稳压二极管的阴极和第五电容的一端连接，第五电容的另一端接地，第一稳压二极管的阳极分别通过第三电阻与芯片UCC25600的第三脚连接、通过第六电容接地；第七电容的一端接芯片UCC25600的第三脚，另一端接地，第四电阻和第七电容并联连接。2.根据权利要求1所述的高压逆变保护电路，其特征在于还包括第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第十二电容、 第十三电容、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、 第十二电阻、NPN三极管和第一 PNP三极管；第二二极管的阳极与第一电容和第二电容的连接点连接，第三二极管的阳极与第三电容和第四电容的连接点连接；第二二极管的阴极分别与第四二极管的其中一个阴极、第八电容的一端、第十二电阻的一端连接，第十二电阻和第八电容的另一端分别接地；第三二极管的阴极分别与第四二极管的另一个阴极、第九电容的一端、第五电阻的一端连接，第五电阻和第九电容的另一端分别接地；第四二极管的阳极分别与第六电阻的一端、第十电容的一端、...

【专利技术属性】
技术研发人员：祖志立，
申请(专利权)人：深圳麦格米特电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：