一种新型激光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型激光二极管，其是在有散热作用的铜基座上承载激光二极管管条，基座上预留有温度传感器安装孔。驱动电源板上装有数据模块用于记录激光二极管模块使用时间、预设电流、工作温度范围、自检程序、和模块生产厂家序列号。驱动电源是固定在支架上然后再与铜基座连接。铜基座激光腔体最后用FC接口与光功率纤维连接。当接通电源，激光二极管被激活发出红外激光经过FC接口传给光功率纤维输出，达到对固体物表面修饰的目的。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于固体表面修饰的激光二极管模块，主要应用于厚膜电路调阻、薄膜电阻调阻、激光打标机、光掩膜雕刻机，光学记录等光学装置上。
技术介绍
半导体激光二级极管区别于同功能产品有几大特点。例如体积小；相比于类似氦氖激光器或者掺钕钇铝石榴石固体激光器的固态激光器，他的体积更小，能够有效地节省安装空间，提高其维护修理的简易度；同时它可以通过控制电流来控制光强，使整个光学装置适用性和可操控性更强。当拥有这些特性的半导体激光二极管输出的波长短的时候， 他们被用作光学记录、存储仪器的光源。同时，当他们波长长的时候，他们被用作光通信的光源。而当他们高输出功率的时候，他们被用作固体物表面修饰。目前，一般的激光二极管构造是由激光二极管管条，铜基座、不锈钢支架、NTC温度传感器安装孔、驱动电源板、FC接口、光导纤维组成的。对于激光二极管，波长的控制室是重要的。更重要的是，它需要一个额外的装置去消散在激光模块运作时产生的热量，同时为了更好的控制波长，将由环境温度导致温度提高所产生的热量迅速朝外部排除。结果，为了满足这种要求，人们提出来很多不同的包装结构，在这些结构中，当光装置被激活时，产生热量会被迅速排出。但传统技术通过散热装置来控制温度的方法总是受控于导热材料效率的影响，只能在短时间内有效，长时间使用时无法彻底解决温度高的问题，从而影响模块正常使用。
技术实现思路
为了克服现有激光二极管模块散热带来的对其寿命和波长的影响，本技术提供一种新型激光二极管，其工作时发热量小，从而解决以往传统模块带来的弊端。为解决其技术问题所采用的技术方案是在有散热作用的铜基座上承载激光二极管管条，基座上预留有NTC温度传感器安装孔。驱动电源板上装有EEPROM数据模块用于记录激光二极管模块使用时间、预设电流、工作温度范围、自检程序、和模块生产厂家序列号。驱动电源是固定在不锈钢支架上然后再与铜基座连接。铜基座激光腔体最后用FC接口与光功率纤维连接。 当接通电源，激光二极管被激活发出红外激光经过FC接口传给光功率纤维输出，达到对固体物表面修饰的目的。激光二极管在相同的电压和电流下工作，比原有装置的发热量要小的多，从而降低激光二极管的功耗，提高其使用寿命，达到15000小时，此外其输出的红外激光，波长更稳定，大大提高了工作效率。以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本专利技术。附图说明图1是本专利技术的装置结构图；图2半导体激光模块二极管俯视图；具体实施方式激光二极管管条1被固定在铜基座2上，再用阴极接线3加以锁定。线路板上的正接线柱7与铜基座2相连，负接线柱8与阴极接线3相连。二极管5是为了在大电流接通和断开，产生大的反向电动势的时候保护激光二极管管条不被大电流击穿。继电器6的作用是在开机后保持断路、机器开始自检程序模拟工作时的各种环境变化和对照实际参数和预先设定参数是否一致。当正极接线柱7、负极接线柱8接通电源，机器通过开机自检程序使继电器6打开， 电流激活激光二极管管条1使其发光。功率光纤9通过FC接口 10与铜基座相连，将激光二极管管条发出的光导出。以上实施方式表明，通过本技术的专利技术的激光二极管，可以克服现有激光二极管模块散热带来的对其寿命和波长的影响。权利要求1. 一种新型激光二极管，其特征是在有散热作用的铜基座上承载激光二极管管条， 基座上预留有NTC温度传感器安装孔，驱动电源板上装有EEPROM数据模块用于记录激光二极管模块使用时间、预设电流、工作温度范围、自检程序、和模块生产厂家序列号，驱动电源是固定在不锈钢支架上然后再与铜基座连接，铜基座激光腔体最后用FC接口与光功率纤维连接。专利摘要本技术公开了一种新型激光二极管，其是在有散热作用的铜基座上承载激光二极管管条，基座上预留有温度传感器安装孔。驱动电源板上装有数据模块用于记录激光二极管模块使用时间、预设电流、工作温度范围、自检程序、和模块生产厂家序列号。驱动电源是固定在支架上然后再与铜基座连接。铜基座激光腔体最后用FC接口与光功率纤维连接。当接通电源，激光二极管被激活发出红外激光经过FC接口传给光功率纤维输出，达到对固体物表面修饰的目的。文档编号H01S5/022GK202206027SQ20112000932公开日2012年4月25日 申请日期2011年1月13日 优先权日2011年1月13日专利技术者严国进, 黄剑龙 申请人:上海旌纬微电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：严国进，黄剑龙，
申请(专利权)人：上海旌纬微电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：