【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种双极CMOS工艺中的有源区边墙；本专利技术还涉及双极CMOS工艺中的有源区边墙的制造方法。
技术介绍
在一些双极CMOS(Bi-CMOS)工艺中，有时需要在有源区引入边墙(Spacer)工艺来作为埋层注入是时的阻挡物。如图1所示，为现有有源区边墙结构示意图。在硅衬底1上形成有有源区2以及场氧区的沟槽，在所述有源区2的表面和周围各侧面上形成有现有有源区边墙3，现有有源区边墙3实现对所述有源区的包覆，现有有源区边墙3的材料为二氧化硅，现有有源区边墙3作为后续的对场氧区的沟槽内进行离子注入如埋层注入5的阻挡层，现有有源区边墙3的厚度满足在后续埋层注入5中能够阻挡离子注入到所述有源区中。如图2所示，是现有有源区边墙的光反射对光刻胶形貌影响的示意图。由于现有有源区边墙3的材料为二氧化硅，且由于二氧化硅具有较高的反射率，在后续的光刻曝光过程中，现有有源区边墙3会将曝光光源8反射到旁边本来不曝光的光刻胶4上，使不应曝光的光刻胶4曝光，最后得到较差的或不可控的光刻胶4形貌，影响对光刻胶关键尺寸的控制能力，不利于光刻图形的小型化...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓波，王永成，孟鸿林，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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