片式肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种片式肖特基二极管，属于半导体器件技术领域。其包括由衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P＋环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，欧姆接触电极为镀覆在衬底底面的金层，硅外延层厚度为1-10μm。本实用新型专利技术由于采用以上结构，与现有技术相比具有结构简单、金属层与SiO2之间有较高粘附性、具有高防静电放电性能、可以使器件片式化小型化的优点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种二极管。
技术介绍
肖特基二极管是利用金属和半导体之间接触势垒进行工作的一种多子型器件，被广泛应用于微波混频、检波及高速开关电路等领域，传统的硅肖特基二极管，衬底背面欧姆接触电极均采用Ag，限制了其后工序加工手段及封装形式，且防静电放电性能低下，容易因为耐静电不够而产生早期失效，从而使其应用场合受到了极大限制。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、金属层与SiA之间有较高粘附性、具有高防静电放电性能、可以使器件片式化小型化的片式肖特基二极管。本技术包括由衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P + 环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，欧姆接触电极为镀覆在衬底底面的金层，硅外延层厚度为1-10 μ m。所述钝化层包括钝化层一和钝化层二，钝化层二的底面接触硅外延层和P十环， 侧面接触金属电极，钝化层一的底面接触钝化层二和金属电极。所述衬底的正面自下而上依次设置有底层金属层、阻挡金属层和粘附金属层。所述底层金属层的厚度为500 700A ；阻挡金属层的厚度为6800 7200A 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵为涛，张录周，
申请(专利权)人：山东沂光电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：