用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基材料及其制备方法，本发明专利技术硅掺杂的铋碲基材料的化学通式为BixTeySi100-(x+y)，其中x、y满足：0＜x≤40，0＜y≤60，90≤x+y＜100。所发明专利技术的硅掺杂的铋碲基材料，在施加电脉冲信号的情况下，发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性，可以用于相变存储器。与传统的用于相变存储器的GeTe、SiSbTe、GeSbTe等相变薄膜材料相比，本发明专利技术硅掺杂的铋碲基材料组分简单、相变速度更快、相变所需能量更低，且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好，是一种优异的相变存储器的新存储材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子领域，具体涉及一种可用于相变存储器的相变存储材料及其制备方法。
技术介绍
更高的密度、更低的功耗，更低的成本和更快的速度是存储器设计和制造者追求的永恒目标。在现有的存储技术中，相变存储器(PCRAM)由于具有高速读取、高可擦写次数、抗辐射、非易失性、元件尺寸小、可实现多级存储、以及与CMOS工艺兼容性好的优点，被国际半导体工业协会认为最有可能取代目前的闪存存储器而成为未来存储器主流产品之一，也是最先可能商用化的下一代存储器件。相变存储器技术是基于Ovshinsky在20世纪60年代末(Phys. Rev. Lett.，21， 1450 1453，1968)和 70 年代初(App 1. Phys. Lett.，18，254 257，1971)提出的相变薄膜材料可以应用于相变存储器介质的构想建立起来的。相变存储器的基本原理是利用相变薄膜材料为存储介质，采用编程的电脉冲使相变薄膜在不同的结构相之间进行可逆的转换来存储数据。而且该存储单元的状态是非易失的，即当其被设置为一个状态时，即使切断电源，该存储单元仍保持设置后的电阻值，除非重新设置。存储单元由电介质材料所限本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程晓敏，鞠晨，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：