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本发明提供了一种用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基材料及其制备方法，本发明硅掺杂的铋碲基材料的化学通式为BixTeySi100-(x+y)，其中x、y满足：0＜x≤40，0＜y≤60，90≤x+y＜100。所发明的硅掺杂的铋碲基材料，在施加电脉...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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