构造电路的方法和电路技术

本发明专利技术涉及构造电路的方法和电路。建议了一种用于构造具有至少一个半导体芯片（130）的电路的方法，所述至少一个半导体芯片（130）被注入有浇注材料（140）。该方法包括施加产生电流的层装置（370）的步骤，用于在具有所述至少一个半导体芯片（130）的电路的元件上构造电化学元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于构造具有至少一个半导体芯片的电路的方法，涉及一种具有至少一个半导体芯片的电路和涉及一种具有所述电路的传感器模块。
技术介绍
在芯片的构造和连接技术中，采用所谓的晶片级封装(Waferlevelpackaging)。在此，各个封装过程在硅晶片上或在晶片格式的装置上被执行。US 3，579，056 Al描述了一种用于制造半导体设备的方法，其中半导体器件被安置在支承体(Traeger)上并且被聚氨酯层包络。紧接着，去除支承体并且针对半导体器件安置导体。
技术实现思路
在该背景下，利用本专利技术介绍了一种根据独立权利要求所述的用于构造具有至少一个半导体芯片的电路的方法和具有至少一个半导体芯片的电路。有利的扩展方案从相应的从属权利要求以及以下的描述中得到。本专利技术基于如下认知与集成蓄能器、譬如薄层电池一起以晶片级工艺(所谓的晶片级封装)制造芯片封装提供了极大的优点。因此，芯片封装可以被扩展了例如薄层电池形式的蓄能器的附加功能，使得产生了具有集成形成的薄层电池的晶片级封装。在晶片级工艺中，芯片被装备在临时的支承体衬底上。紧接着，借助模制材料(Moldmasse)制造芯片模制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：T皮尔克，J布茨，A弗兰克，F哈格，H韦伯，A赫希斯特，S克尼斯，
申请(专利权)人：T皮尔克，J布茨，A弗兰克，F哈格，H韦伯，A赫希斯特，S克尼斯，
类型：发明
国别省市：