电连接形成方法技术

技术编号:7248516 阅读:119 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的实施例提供了一种在装置上形成电连接的方法。在一实施例中,电连接经由具有导电颗粒的粘着剂附接至该装置。在一实施例中,粘着剂在施加压力时被固化,以使导电颗粒对准,颗粒与颗粒间的间距减小,或者彼此接触以在电连接与装置之间提供更直接的导电(电阻较小)路径。在本发明专利技术的一实施例中,提供了一种在形成太阳能电池装置期间在部分形成的太阳能电池上形成电性引线的方法。该方法包含以下步骤:将侧汇流排导线置放于导电粘着剂的图案上,该导电粘着剂配置于太阳能电池装置基板的背接触层上;将在太阳能电池装置基板与背玻璃基板之间的侧汇流排导线与导电粘着剂层压,以形成复合太阳能电池结构;及当向复合太阳能电池结构施加压力并加热时固化导电粘着剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般而言关于一种使用导电粘着剂来形成电连接的方法。相关技术的描述光伏(PV)装置或太阳能电池是将日光转换为直流(DC)电力的装置。典型的薄膜型PV装置,或薄膜太阳能电池,具有一或多个p-i-n结。每一 p-i-n结包含ρ型层、本征型层(intrinsic type layer)及η型层。当太阳能电池的p-i-n结暴露于日光(由光子能量组成)时,日光经由PV效应转换为电。可将太阳能电池平铺成较大太阳能电池阵列。藉由连接若干太阳能电池,并将其连结为具有特定框架及连接器的面板可制成太阳能阵列。通常,薄膜太阳能电池包括活性区域或光电转换单元,及设置作为正面电极及/ 或背面电极的透明导电氧化物(TCO)膜。光电转换单元包括P型硅层、η型硅层,及本征型(i型)硅层,该本征型硅层包夹在P型硅层与η型硅层之间。可利用若干类型的硅膜, 包括微晶硅膜(μ c-Si)、非晶硅膜(a-Si)、多晶硅膜(多晶Si),及其类似物,来形成光电转换单元的P型层、η型层及/或i型层。背面电极可含有一或多个导电层。需要经改良的制程以形成具有良好界面接触、低接触电阻及高总体性能的太阳能电池。随着传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:Z·李C·鲁G·B·普拉巴D·C·T·卢G·翁D·坦纳
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:

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