嵌入衰减式相位移光罩及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种嵌入衰减式相位移光罩及其制作方法，该嵌入衰减式相位移光罩包括透明基板，形成于所述透明基板表面上的相位移层、形成于所述相位移层的未设芯片图案区域表面上的遮光层，形成于所述遮光层表面上的隔离层，以及设置在所述相位移层的设芯片图案区域内的芯片图案。本发明专利技术的嵌入衰减式相位移光罩及其制作方法能有效防止雾状缺陷的产生，而且工艺步骤少，生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻工艺领域，尤其涉及一种嵌入衰减式相位移光罩 (embedded-attenuated phase shift mask)及其制作方法。
技术介绍
随着半导体元件尺寸的不断减小，复杂度越来越高，光罩图案也相应地更加复杂和密集，相位移光罩与传统光罩相比具有更高的分辨率和聚焦深度，随着半导体制造业的发展，相位移光罩将逐渐取代传统光罩。参见图1和图2，现有技术的嵌入衰减式相位移光罩(一种相位移光罩)包括石英板110、覆盖在所述石英板110表面上的相位移层120以及覆盖在所述相位移层120边缘表面上的铬层(Cr) 130，期望复制到晶圆表面上的芯片图案(chip patterns) 140设置在所述相位移层120未被所述铬层130覆盖的区域，其中，所述相位移层120为钼化硅(MoSi)层。图3A 图31所示为制作现有技术的嵌入衰减式相位移光罩的流程图如图3A所示，在石英板201的表面上依次形成钼化硅层202和铬层203，在所述铬层203的表面上涂覆光刻胶204 ；所述光刻胶204用于定义芯片图案；如图;3B所示，通过曝光、显影在所述光刻胶204内定义芯片图案205 ；如图3C所示，以所述光刻胶204为掩蔽，刻蚀掉部分所述铬层203，在所述铬层 203内形成芯片图案；如图3D所示，去除所述光刻胶204 ；去除所述光刻胶205采用强硫酸(H2SO4)和过氧化氢的混合液；如图3E所示，以所述铬层203为掩蔽，刻蚀掉部分所述钼化硅层202，在所述钼化硅层202内形成芯片图案206 ；如图3F所示，在所述铬层203及钼化硅层202的表面上涂覆光刻胶207 ；所述光刻胶207用于定义所述钼化硅层202边缘表面上的铬层的图案(即图1中的铬层130的图案)；如图3G所示，通过曝光、显影在所述光刻胶207内定义所述钼化硅层202边缘表面上的铬层的图案208 ；如图3H所示，以所述光刻胶207为掩蔽，刻蚀掉部分所述铬层203 ；此时，除了所述钼化硅层202的边缘表面上覆盖有铬层外，所述钼化硅层202其他区域表面上的铬层都被刻蚀掉；如图31所示，去除所述光刻胶207，完成现有技术的嵌入衰减式相位移光罩的制作；去除所述光刻胶207采用强硫酸(H2SO4)和过氧化氢的混合液。有实验研究表明，在相位移光罩中，铬表面相对于钼化硅及硅表面具有更高的分散能，即更容易与离子之间产生作用，最终导致铬表面生成雾状缺陷(haze)需要更低的预置氟化氩(ArF)激光能量。铬层表面的铬原子容易氧化生成正价态的铬离子(如Cr+3)，正价态的铬离子易与硫酸根离子(SOf )反应生成硫酸铬络合物如Cr2 (S04)3· IiH2O,在制作现有技术的嵌入衰减式相位移光罩的过程中，两次在所述铬层203的表面上涂覆光刻胶，采用强硫酸(H2SO4)和过氧化氢的混合液去除铬层表面上的光刻胶时，铬层表面的正价态铬离子容易吸附混合液中的硫酸根离子，生成硫酸铬络合物如Cr2(SO4)3 · IiH2O ；另外，形成铬层的过程中也会有硫酸根离子的残留，因此，现有技术的嵌入衰减式相位移光罩的铬层表面相对于钼化硅及硅表面更容易吸附有较多的硫酸根离子及其他离子。现在，越来越多的半导体器件制造使用氟化氩(ArF)激光作为光刻曝光的光源， 氟化氩激光极易激发硫酸根离子与氨根(NH)反应生成((NH4)2SO4，形成雾状(haze)缺陷，因此，雾状缺陷是氟化氩激光作为光刻曝光光源所面临的一个挑战。使用氟化氩激光作光刻曝光的光源，将现有技术的嵌入衰减式相位移光罩上的图案复制到晶圆表面上时，由于铬层的表面上吸附较多的硫酸根离子，只需较小的能量就能激发铬层表面上的硫酸根离子与环境中的氨根发生反应，生成(NH4)2SO4，形成雾状缺陷，这些雾状缺陷也将复制到晶圆表面上，这是不期望发生的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，能有效防止雾状缺陷的产生。为了达到上述的目的，本专利技术提供一种嵌入衰减式相位移光罩，包括透明基板，形成于所述透明基板表面上的相位移层、形成于所述相位移层的未设芯片图案区域表面上的遮光层，形成于所述遮光层表面上的隔离层，以及设置在所述相位移层的设芯片图案区域内的芯片图案。上述嵌入衰减式相位移光罩，其中，所述相位移层为钼化硅层。上述嵌入衰减式相位移光罩，其中，所述遮光层为金属铬层。上述嵌入衰减式相位移光罩，其中，所述隔离层为钼化硅层、&SiN层、MoSiON层或者TiSiN层。上述嵌入衰减式相位移光罩，其中，所述隔离层厚度为40 200nm。本专利技术提供的另一技术方案是一种嵌入衰减式相位移光罩的制作方法，包括以下步骤在透明基板的表面上依次形成相位移层、第一遮光层、隔离层和第二遮光层；通过光刻、刻蚀在所述隔离层和第二遮光层内形成所述第一遮光层将要制作的图案；通过光刻、刻蚀，在所述第一遮光层和相位移层内形成芯片图案；刻蚀掉所述第二遮光层以及所述相位移层的设芯片图案区域表面上的第一遮光层。上述嵌入衰减式相位移光罩的制作方法，其中，所述通过光刻、刻蚀在所述隔离层和第二遮光层内形成所述第一遮光层将要制作的图案具体包括以下步骤在所述第二遮光层的表面上涂覆光刻胶，通过曝光、显影在所述光刻胶内定义所述第一遮光层将要制作的图案；以所述光刻胶为掩蔽，刻蚀掉部分所述第二遮光层，在所述第二遮光层形成所述第一遮光层将要制作的图案；去除所述光刻胶；以所述第二遮光层为掩蔽，刻蚀掉部分所述隔离层，在所述隔离层内形成所述第一遮光层将要制作的图案。上述嵌入衰减式相位移光罩的制作方法，其中，所述通过光刻、刻蚀，在所述第一遮光层和相位移层内形成芯片图案具体包括以下步骤在所述第二遮光层以及第一遮光层的表面上涂覆光刻胶，通过曝光、显影在所述光刻胶内定义芯片图案；以所述光刻胶为掩蔽，刻蚀掉部分所述第一遮光层，在所述第一遮光层内形成芯片图案；去除所述光刻胶；以所述第一遮光层为掩蔽，刻蚀部分所述相位移层，在所述相位移层内形成芯片图案。上述嵌入衰减式相位移光罩的制作方法，其中，所述隔离层为钼化硅层、ZrSiN层、 MoSiON层或者TiSiN层。上述嵌入衰减式相位移光罩的制作方法，其中，所述相位移层为钼化硅层。上述嵌入衰减式相位移光罩的制作方法，其中，所述隔离层的厚度为40 200nm。上述嵌入衰减式相位移光罩的制作方法，其中，所述第二遮光层和第一遮光层均为金属铬层。上述嵌入衰减式相位移光罩的制作方法，其中，所述第二遮光层的厚度等于所述第一遮光层的厚度，或者所述第二遮光层的厚度略小于所述第一遮光层的厚度。本专利技术的在第一遮光层的表面形成有隔离层，而隔离层的表面不易吸附硫酸根离子，能有效防止氟化氩激光照射下雾状缺陷的产生；本专利技术的先制作相位移层的未设芯片图案区域表面上的第一遮光层以及隔离层的图案，再制作芯片图案，工艺步骤少，生产成本低。附图说明本专利技术的由以下的实施例及附图给出。图1是现有技术的嵌入衰减式相位移光罩的剖视图。图2是现有技术的嵌入衰减式相位移光罩的俯视图。图3A 图31是制作现有技术的嵌入衰减式相位移光罩的流程图。图4是本专利技术的嵌入衰减式相位移光罩的剖视图。图5是本专利技术的嵌入衰减式相位移光罩的俯视图。图6A 图6L是制作本专利技术的嵌入衰减式相位移光罩的流程图。具体实施例方式以下将结合图4 图5以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡华勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：