本发明专利技术公开了一种采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法；包括以下步骤：步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中：开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD；开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。本发明专利技术可以简单、有效的去除射频无源器件测试结构的寄生参数。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件测试方法，具体涉及一种无源器件测试去嵌方法。
技术介绍
目前，在集成电路中包含了大量的无源器件，片上电感就是其中十分重要的一种， 片上电感是射频CMOS/BiCMOS集成电路的重要元件之一。在通常的无线产品中，电感元件对总的射频性能有很重要的影响。因此对这些电感元件的设计和分析也得到了广泛的研究。电感作为射频电路的核心部件，它通常可以影响到整个电路的整体性能。目前，经常使用的是差分电感，其广泛应用在压控振荡器，低噪声放大器等射频电路模块中。差分电感具有高品质因数Q值，高谐振频率以及最小的芯片面积的优点。上面所述的电感器件的电感品质因数Q值是衡量电感器件的主要参数。其是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q 值越高，其损耗越小，效率越高。其计算公式为0 TKSQ表示品质因数，w表示频率，L表示某一频率下的电感值，Rs表示某一频率下的电阻值。目前，射频无源器件的测试数据去嵌方法一般采用开路(OPEN)或者开路通路相结合的方法(0PEN+THR0UGH)，这两者去嵌方法都不能完全去除测试结构的寄生参数，引入较大误差，影响器件的建模及射频电路的设计。无源器件测试图形如附图1所示，其等效电路的拓扑结构如图3所示。在射频探针到被测器件间存在不同层金属组成的引线引入的寄生参数如图2所示。传统的开路通路相结合，去嵌后等效电路图如图4所示。可以看到传统的去嵌方法去嵌后依然存在引线的寄生参数。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，它可以简单、有效的去除射频无源器件测试结构的寄生参数。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种；包括以下步骤步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD ；开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。本专利技术的有益效果在于可以简单、有效的去除射频无源器件测试结构的寄生参数。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。图1是射频无源器件测试图形的示意图；图2是射频无源器件测试图形的示意图；图3是射频无源器件测试图形对应的子电路模型示意图；图4是传统去嵌方法(open+through)去嵌后对应的子电路模型示意图；图5是本专利技术实施例所述开路结构一(openl)的示意图；图6是本专利技术实施例所述开路结构二(open2)的示意图；图7是本专利技术实施例所述通路结构一(throughl)的示意图；图8是本专利技术实施例所述通路结构二(through2)的示意图；图9是本专利技术实施例所述去嵌结构去嵌后子电路模型示意图。图10是本专利技术实施例所述方法的流程图。具体实施例方式如图5-图8所示，本专利提出的针对由不同层金属连出的射频无源器件去嵌结构包括开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二 ；采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。以用顶层金属和第一层金属连接而成的引线结构为例开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD，开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分，通路结构一是用顶层金属连通，通路结构二是用第一层金属连通。采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。如图10所示，基于本专利技术的去除不同层金属引线寄生参数的算法为测试开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二四种结构以及待测器件的S参数，分别转化成 Yopenl、Yopen2、Ythrough 1、Ythrough2、YDUT,用 Ythroughl-Yopenl 并将结果转化成 ABCD 矩阵，得到去除了待测器件顶层金属寄生参数的中间变量Y1，开路结构二和开路结构一通路结构一相结合得到底层金属和顶层金属连接处的寄生参数并将结果带到通路结构二中得到底层金属器件引线的金属的寄生参数，从而去除上下两层金属的寄生参数。具体算法为1)利用^hroughl-Yopenl算出顶层金属特征阻抗2)根据待测器件左右端顶层信号线长度分别算出左右端信号线的ABCD矩阵A11 和Arl，利用下面公式去除顶层信号线寄生Y11 =AllXYdutXArl利用算出的顶层金属的特征阻抗。3)利用第一二步所列方法，去除开路open2和通路through2结构的扎针Pad和顶层金属寄生参数，得到Y22、TO3。4)Y33-Y22得到金属一通路寄生参数，算出金属一的特征阻抗，并根据左右两侧金属一的长度风别算出相应的AB⑶矩阵A12Ar2。5)则去除寄生参数的待测器件的Y参数为=Ydeemb =A12X (Y11-Y22) XAr2，将Y 参数转化成S参数，就得到相应器件的S参数Sdeemb采用本专利技术所述的去嵌结构和方法，具有以下的技术效果去嵌结构和方法简单； 有效去除测试结构的寄生参数。采用本专利技术所述的去嵌方法去嵌后的等效电路图如附图9 所示。本专利技术并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本专利技术涉及的技术方案。基于本专利技术启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本专利技术的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本专利技术的最佳实施方法，以使得本领域的普通技术人员能够应用本专利技术的多种实施方式以及多种替代方式来达到本专利技术的目的。权利要求1.一种；其特征在于，包括以下步骤步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD ；开路结构二包括顶层金属形成的扎针 pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。2.如权利要求1所述的，其特征在于，所述步骤二中将开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二的S参数分别转化成参数 Yopenl、Yopen2、Ythroughl、Ythrough2 ；用^hroughl-Yopenl并将结果转化成AB⑶矩阵，得到去除了待测器件顶层金属寄生参数的中间变量Yl ；开路结构二和开路结构一、通路结构一相结合得到底层金属和顶层金属连接处的寄生参数并将结果带到通路结构二中得到底层金属器件引线的金属的寄生参数，从而去除上下两层金属的寄生参数。全文摘要本专利技术公开了一种；包括以下步骤步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD；开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。本专利技术可以简单、有效的去除本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王生荣，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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