本发明专利技术提供一种电介质装置，其能够很容易地调节衰减极及传输频带宽度等滤波特性。所述电介质装置的第一及第二共振部(Q1、Q2)分别具有孔(51、52)。孔(51、52)在其内部具备第二内导体(81、82)。第一端子(11)与共振部(Q1)电耦合，第二端子(12)与共振部(Q2)电耦合。在第一端子(11)和第二端(12)之间存在作为外导体膜(3)的一部分的中间导体膜(31)。中间导体膜(31)在表面上具有绝缘膜(91)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电介质滤波器或双工器等电介质装置及使用了该装置的电子装置。
技术介绍
这种电介质装置用于亚微波带、微波带、毫米波带或者亚毫米波带的高频率领域。 作为更具体的适用例，能够列举出卫星通信设备、移动通信设备、无线通信设备、高频率通信设备或用于这些通信设备的基站等。以往，在手机等中使用的共振器及电介质滤波器通过将在电介质基体上设有一个通孔的共振器部分组合多个而成，共振器的长度通常是用结构电介质基体的材料的介电常数的平方根除自由空间的波长λ的1/4的长度。在结构电介质滤波器时，将多个共振器用分别另外准备的耦合电路耦合，或在与形成为大致正方体的电介质一面相面对的外表面上设有多个通孔，对除去一面的外表面和通孔的内部实施金属喷镀，将各通孔设为共振器部分。在使用了电介质基体的电介质滤波器的情况下，在共振器部分加装电容器等附加元件或在没有金属喷镀的一面形成图案，结构附加元件。进而，通过在电介质基体自身上设置沟槽及凹部等，采用有意破坏电磁场耦合分布的平衡，并通过电场或磁场进行耦合等的结构。多个共振器中具有成为输入输出端子的第一端子及第二端子。第一端子及第二端子通常在与电路基板面对的面上设置。但是，在将第一端子及第二端子侧与电路基板面对面地安装时，外导体膜的大部分虽然通过钎焊等手段连接到电路基板上的接地导体上，但是，由于构成其一部分的中间导体膜与接地导体电连通，因此，衰减极动作，导致传输频带(也称为带通)宽度及滤波器特性等的改变。作为对应小型化及轻量化的有效手段，专利文献1中公开了在共振部设置成包含第一孔和第二孔的结构，且在第一孔的端部交叉第二孔的新型电介质体装置。但是，该现有技术也没有公开解决上述的问题点的装置。专利文献1日本专利第3329450号公告
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种电介质装置，其能够很容易地调节衰减极及传输频带宽度等滤波特性。本专利技术的另一个目的在于，提供一种电介质装置，其几乎不使低频侧的衰减极动作，而使高频侧的衰减极移动到低频侧，从而改善了传输频带宽度等滤波特性。为解决上述问题，本专利技术的三种实施方式的电介质装置及将该装置装入电路基板而构成的电子装置。电介质装置包括电介质滤波器或双工器等。第一实施方式的电介质装置包含电介质基体、多个共振器、第一端子和第二端子。 在上述电介质基体的外表面上具有导体膜。上述各共振器分别具有孔，在上述孔的内部有与上述外导体膜连接的内导体。上述第一端子设置在上述电介质基体上，与上述共振器之中的至少一个电耦合， 上述第二端子设置在电介质基体上，与上述共振器之中的其它至少一个电耦合。在上述第一端子和上述第二端子之间存在作为上述外导体膜一部分的中间导体膜。上述结构是已知的结构。本专利技术的第一实施方式的特征在于，上述中间导体膜在表面上具有绝缘膜。根据这样的结构，在将第一端子及第二端子侧与电路基板等面对面地安装的情况下，外导体膜的大部分虽然通过钎焊等手段与电路基板上的接地导体连接，但是，构成其一部分的中间导体膜通过绝缘膜而与接地导体分离。因此，能够使得低频侧的衰减极几乎不工作，而高频侧产生明确的衰减极，并能够调节传输频带宽度等滤波特性。还有，通过调节绝缘膜相对于端子的相对长度，能够调节衰减极频率。第二实施方式的电介质装置含有电介质基体、多个共振器、第一端子和第二端子。 上述电介质基体在外表面上具备导体膜。上述各共振器分别含有第一孔和第二孔。上述第一孔设置在上述电介质基体中，其一端在上述外表面的一面上开口，从上述一面朝向与其相面对的外表面的方向，在内部具备第一内导体。上述第二孔设置在上述电介质基体中，在与上述一面不相面对的外表面上开口，在上述电介质基体的内部与上述第一孔连接，在内部具备第二内导体。上述第二内导体的一端在上述电介质基体的内部与上述第一内导体连接。上述第一端子设置在上述电介质基体中，与上述共振器之中的至少一个电耦合， 上述第二端子设置在上述电介质基体中，与上述共振器之中的其它至少一个电耦合。在上述第一端子和上述第二端子之间存在作为上述外导体膜一部分的中间膜。上述结构是已经在专利文献1中公开的结构。本专利技术的第二实施方式的特征在于，上述中间导体膜在表面上具有绝缘膜。根据这样的结构，在将第一端子及第二端子侧与电路基板等面对面地安装的情况下，外导体膜的大部分虽然通过钎焊等手段连接在电路基板上的接地导体，但是，构成其一部分的中间导体膜通过绝缘膜而与接地导体分离。因此，低频侧的衰减极几乎不会动作，而在高频侧产生明确的衰减极，能够调节传输频带宽度等滤波特性。还有，通过调节绝缘膜相对于端子的相对长度，能够调节衰减极的频率。在如双工器那样包含第一 第三端子的情况下，在各个端子之间存在的中间导体膜上设置绝缘膜。第三实施方式的电介质装置的基本结构与第二实施方式的相同。不同法点是，上述中间导体膜的表面比上述第一端子及上述第二端子的表面低。根据该结构，在将第一端子及第二端子侧与电路基板等面对面地安装的情况下，外导体膜的大部分虽然通过钎焊等手段连接在电路基板上的接地导体，但是构成其一部分的中间导体膜隔开与第一端子及第二端子之间的高低差形成的空间距离而与接地导体分离。因此，能够使得低频侧的衰减极几乎不动作，而在高频侧产生明确的衰减极。还能够调节衰减极的频率。在采用第三实施方式的结构的情况下，由于只要使上述的第一端子及第二端子比外导体膜更厚即可，因此，制造是没有困难的。本专利技术的电子装置包含上述的电介质装置和电路基板的组合。通过该组合能够明确得到上述的作用效果。本专利技术的电子装置的另一种可能性在于，作为电介质装置，不限于本专利技术中所述的电介质装置，只要在电路基板上具有相同的功能的电介质装置即可。即，上述电路基板搭载电介质装置，与上述中间导体膜相面对的部分被绝缘膜覆盖，由此，得到先前已述的作用效果。如上所述，根据本专利技术，能够得到如下这样的效果。(a)能够提供可以很容易调节衰减极及传输频带宽度等滤波特性的电介质装置。 (b)能够提供几乎不使低频侧衰减极动作、而使高频侧的衰减极向低频侧移动、且改善了传输频带宽度等滤波特性的电介质装置。对于本专利技术的其它目的、结构及优点，参照附图更详细地加以说明。但是，本专利技术的技术范围当然不限于这些图示实施例。附图说明图1是本专利技术的电介质装置的立体图；图2是图1所示的电介质装置的剖面图；图3是本专利技术的电介质装置的立体图；图4是从背面侧观察图1所示的电介质装置的立体图；图5是沿图1的5-5线的剖面图；图6是沿图5的6-6线的剖面图；图7是说明图1 图6所示的电介质装置的使用状态(对电路基板的安装)的图；图8是表示本专利技术的电介质装置的另一实施例和相对于电路基板的安装工序的图；图9是表示图8之后的安装状态的图；图10是表示本专利技术的电介质装置的另一实施例和相对于电路基板的安装工序的图；图11是表示图10之后的安装状态的图；图12是表示具有三个共振部的电介质装置的立体图；图13是从背面侧观察图12所示的电介质装置的立体图；图14是图12、图13所示的电介质装置的剖面图；图15是图14的15-15线的剖面图；图16是表示具有图12 图15所示的基本结构的电介质装置的频率衰减特性的图；图17是本专利技术的电介质装置的另一例子的立体图18是从背面侧观察图17所示的电介质装置的立体本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：田久保修，田代浩二，寺尾一吉，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：
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