半导体集成电路、包括该电路的开关电源以及包括该电源的控制系统技术方案

本发明专利技术提供一种半导体集成电路，其可以防止由寄生元件动作引起的不稳定动作。该半导体集成电路包括：构成电流镜的一对晶体管（６３、６５），该电流镜具有使输入输出为不同电流值的输入输出比特性；以及根据所述电流镜的输出电流生成基准电压的输出晶体管。该半导体集成电路的特征在于一对晶体管（６３、６５）中的所述电流值小的晶体管（６３）侧的集电极区域（８５Ａ）的总面积与一对晶体管（６３、６５）中的所述电流值大的晶体管（６５）侧的集电极区域（８２）和（８８）合起来的总面积彼此相等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路、包括该电路的开关电源以及包括该电源的控制系统，该半导体集成电路包括构成具有使输入输出为不同电流值的输入输出比特性的电流镜的一对晶体管、以及根据所述电流镜的输出电流来输出基准电压的输出晶体管。
技术介绍
图1是作为开关电源的一个例子的降压开关调节器100的结构图。降压开关调节器100是DC-DC变换器，将由连接到一对电源输入端子2、3上的外部电源1提供的输入电压VB降压，将从输出端子10输出的输出电压VOUT调节为预定目标电压。降压开关调节器 100包括平滑输入电压VB的输入电容器4 ；形成高侧(High side)的驱动晶体管M和低侧(Low side)的驱动晶体管25的半导体集成电路20 ；—端连接到驱动晶体管M和驱动晶体管25的接点上、另一端连接到输出端子10上的电感器6 ；以及被提供电感器6中积累的能量，平滑输出电压VOUT的输出电容器9。作为驱动晶体管M等的半导体开关元件的具体例子，例如有MOSFET、双极性晶体管。如公知那样，半导体集成电路20的PWM驱动电路23根据从振荡器22输出的周期信号和从误差放大器26输出的误差放大信号，以同步整流的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体集成电路，其包括：构成电流镜的一对晶体管，该电流镜具有使输入输出为不同电流值的输入输出比特性；以及根据所述电流镜的输出电流生成基准电压的输出晶体管，该半导体集成电路的特征在于，所述一对晶体管中的所述电流值小的第一晶体管侧的集电极区域的总面积与所述一对晶体管中的所述电流值大的第二晶体管侧的集电极区域的总面积相等。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三岛健人，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP