半导体光电元件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体光电元件及其制作方法。该半导体光电元件包括操作基板；半导体外延叠层单元，设置于操作基板上；半导体外延叠层单元包括设置于操作基板上，具有第一导电特性的第一半导体材料层，以及设置于第一半导体材料层上，具有第二导电特性的第二半导体材料层；透明导电层，设置于第二半导体材料层上，透明导电层包括第一表面、直接接触部，设置于第一表面上，与第二半导体材料层直接接触、第二表面，实质平行第一表面、直接接触对应部，设置于第二表面相对于直接接触部上；以及第一电极，设置于操作基板上，通过透明导电层与半导体外延叠层电性连结；其中，第一电极与透明导电层通过直接接触部与直接接触对应部之外的区域相互电性连结。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是涉及一种转移设置于承载操作基板上的半导体光电元件以及此半导体光电元件的制作方法。
技术介绍
随着科技日新月异，半导体光电元件在信息的传输以及能量的转换上有极大的贡献。以系统的运用为例，例如光纤通讯、光学储存及军事系统等，半导体光电元件皆能有所发挥。以能量的转换方式进行区分，半导体光电元件一般可分为三类将电能转换为光的发射，如发光二极管及激光二极管；将光的信号转换为电的信号，如光检测器；将光的辐射能转换为电能，如太阳能电池。在半导体光电元件之中，生长基板扮演着非常重要的角色。形成半导体光电元件所必要的半导体外延结构皆生长于基板之上，并通过基板产生支持的作用。因此，选择一个适合的生长基板，往往成为决定半导体光电元件中元件生长品质的重要因素。然而，有时一个好的元件生长基板并不一定是一个好的元件承载基板。以发光二极管为例，在已知的红光元件工艺中，为了提升元件的生长品质，会选择晶格常数与半导体外延结构较为接近但不透明的GaAs基板作为生长基板。然而，对于以放光为操作目的的发光二极管元件而言，在操作过程之中，不透明的生长基板却会造成元件的发光效率下降。为了满足半导体光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王心盈，陈怡名，徐子杰，陈吉兴，张湘苓，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：