阵列式发光元件、光源产生装置和背光模块制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列式发光元件、光源产生装置和背光模块。该阵列式发光元件包含基板以及位于基板之上的多个发光元件，其中每一发光元件包含第一半导体层，包含第一区域与第二区域；以及具有斜角的第二半导体层位于第二区域之上。发光元件还包含第一电接触区位于第一区域之上；以及第二电接触区位于第二半导体层之上，其中第二半导体层的侧向电阻值大于第一半导体层的侧向电阻值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及阵列式光电元件，尤其涉及一种具有斜角的半导体层的阵列式发光元件。
技术介绍
发光二极管(Light-emitting Diode ；LED)为一种固态半导体元件，其至少包含一 p-n结(p-n junction)，此p-n结形成于ρ型与η型半导体层之间。当于ρ_η结上施加一定程度的偏压时，P型半导体层中的空穴与η型半导体层中的电子会结合而释放出光。产生此光的区域一般又被称为发光区(light-emitting region)。如图8所示，传统LED 8具有长方形η型半导体层81与长方形ρ型半导体层82， η型半导体层81与ρ型半导体层82之上分别有η型垫片83与ρ型垫片84，提供偏压于η 型垫片83与ρ型垫片84，电流会沿路径c从ρ型垫片84流向η型垫片83。然而ρ型半导体层82的侧向电阻值较η型半导体层81高，电流在ρ型半导体层扩散速率较差，所以长方形的P型半导体层82位于ρ型垫片84附近的部分区域821电流通过的机率较低，导致位于部分区域821之下的区域产生光线的机率也较低。LED的主要特征在于尺寸小、发光效率高、寿命长、反应快速、可靠度高和色度良好，目前已经广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：