【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种硅片，尤其是涉及一种太阳能电池硅片。
技术介绍
现有的硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右，而且硅片由于技术限制不能割的很薄，一般只能达到200微米左右，而实际的太阳能电池所需要的硅片厚度只需要50微米左右，这样厚的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非常高，硅片是太阳能电池的最大成本的部分，因此低的硅的利用率是目前硅片制造的太阳能电池价格高的主要原因，从而影响了太阳能电池的普及。
技术实现思路
本技术是提供一种成本低的太阳能电池硅片，其主要是解决现有技术所存在的硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右的问题；本技术还解决了厚的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非常高等的技术问题。为了实现上述目的，本技术解决其技术问题所采用的技术方案是成本低的太阳能电池硅片，包括底板，所述的底板上设有硅层，底板与硅层之间设有过渡硅板和金属薄膜层，底板或硅层上设有印刷电路，所述的硅层为多孔硅层，多孔硅层厚度为100_750um。本技术的有益效果节约制造硅片的材料，...
【技术保护点】
１．成本低的太阳能电池硅片，包括底板（１），其特征在于，所述的底板（１）上设有硅层（２），底板（１）与硅层（２）之间设有过渡硅板（４）和金属薄膜层（５），底板或硅层上设有印刷电路（３），所述的硅层（２）为多孔硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈一鸣，
申请(专利权)人：温州索乐新能源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33
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