【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池,尤其是一种非晶硅太阳能电池。
技术介绍
能源已成为世界性关注的问题,尤其新型太阳以电池倍受人们关注,太阳能电池是能将光能转变成电力的半导体组件。按基板材料将太阳能电池大致分为硅结晶系太阳能电池,非晶质硅系太阳能电池,化合物半导体系太阳能电池3种。其中非晶硅电池便于大规模,工艺简单,造价低,生产、质量较易控制,因而在各行各业中应用率越来越高。现有的太阳能电池主要有基板,SnO2层、非晶硅PIN层、背电极层及PET保护层及电极(+、-),现有的背电极PN+,形状不合理,表面积较小,造成电池的电压偏低,而且铜浆(金属)点难以焊接, 即使焊接也易脱落,影响了非晶硅太阳能电池的推广应用。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种金属浆点易焊接,且不易脱落并能提高电压的非晶硅太阳能电池,本技术的目的通过下述技术方案来实现本技术包括基板、SnO2层、非晶硅PIN层、背电板层、PET保护层和正、负电极,其特征在于正电极PN+为L形,且L形竖横长度比为3:2-2. 2,总面积为6_8mm2。本技术通过改变PN+的形状及与背电极的接触面积,使其附着力更强,使铜浆或银浆焊点便于焊接,由于PN+形状改变,面积增大,使金属浆焊接牢固不易脱落,解决了目前非晶硅太阳电池金属浆易脱落的难题,便于大面积推广,减小两者之间的电阻,提高了电流和电压,同时提高了产品质量,经检测,本产品较原产品电流提高12-36%,电压提高 15-30%ο从上述情况可知,本技术的目的是可以实现的。附图说明图1为本技术结构示意图。具体实施方式如图1所示,本技术包括基板1、Sn ...
【技术保护点】
1.一种非晶硅太阳能电池,包括基板(1)、SnO2层(2)、非晶硅PIN层(3)、背电板层(4)、PET保护层(5)和正、负电极,其特征在于:正电极(6)为L形,且L形竖横长度比为3:2-2.2,总面积为6-8mm2。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:龚利平,
申请(专利权)人:蓬安金石光电科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:51
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