通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，包括引线架，所述的引线架包括第一引线架体和第二引线架体，在所述的第一引线架体上固定连接有至少一块半导体晶片，在所述的第一引线架体与半导体晶片之间设有导电粘胶，其特征在于：在所述的半导体晶片与第二引线架体之间连接有表面包覆钯层的键合银丝，在所述的第一引线架体和第二引线架体的一端上还设有将半导体晶片，键合银丝封装起来的密封体。本实用新型专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，可提高可靠性、热转移效率、功率和光折射率，延长使用寿命，降低生产成本的半导体发光二极管封装件。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体发光二极管封装件，本技术特别涉及一种通过表面包覆钯层的键合银丝连接的半导体发光二极管。
技术介绍
LED是英文light emitting diode发光二极管的缩写。发光二极管，是一种固态的半导体器件。它的基本结构是一块电致发光的半导体材料(晶片)，晶片置于一个引线架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，然后用环氧树脂或其它物质密封。是一种能够将电能转化为可见光的半导体器件。晶片由三部分组成，一端是P型半导体，另一端是N型半导体，这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线键合丝作用于这个晶片的时候，电子就会被推向量子阱(P区)，在量子阱内电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是发光二极管发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。发光二极管封装是保护晶片和完成电气互连，并输出可见光。发光二极管封装结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧及玻璃或其它物质等密封体封装结构。同时又可分为有引脚(直插式)封装、表面贴装封装(SMD)及功率型封装。晶片粘结或烧结在引线架负极上，晶片的正极通过金属丝与引线架另一端连接，目前金属丝一般采用键合金丝或键合硅铝丝，并通过焊线机完成接点的结合，然后封装。现有的键合金丝成本高，键合硅铝丝的热转移效率相对不足。本专利技术就是在这样的背景下作出的。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，可提高可靠性、热转移效率、功率和光折射率，延长使用寿命，降低生产成本的半导体发光二极管封装件。为了达到上述目的，本技术采用以下方案—种通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，包括引线架，所述的引线架包括第一引线架体和第二引线架体，在所述的第一引线架体上固定连接有至少一块半导体晶片，在所述的第一引线架体与半导体晶片之间设有导电粘胶，其特征在于在所述的半导体晶片与第二引线架体之间连接有表面包覆钯层的键合银丝，在所述的第一引线架体和第二引线架体的一端上还设有将半导体晶片，键合银丝封装起来的密封体。如上所述的通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，其特征在于所述的半导体晶片为多块，各块半导体晶片之间串联后通过所述的键合银丝与所述的第二引线架体连接。如上所述的通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，其特征在于所述的半导体晶片为多块，各块半导体晶片分别通过键合银丝与所述的第二引线架体连接。如上所述的通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，其特征在于在所述的导电粘胶上设有连通所述半导体晶片与第一引线架体的散热孔。综上所述，本技术相对于现有技术其有益效果是1、采用表面包覆钯层的键合银丝连接，可以提供最优的成本，并获得性能上的提尚ο2、银的导热性、导电性高于金及铝，因而可提高其热转移效率及功率和光折射率。 并有利于延长LED使用寿命。3、银的成本相对金很低，更是成为替代焊接材料的一大优势，有利于降低生产成本。附图说明图1为本技术的剖面示意图；图2为图1中A处的放大图；图3为半导体晶片的第一种实施方式的示意图；图4为半导体晶片的第二种实施方式的示意图。具体实施方式以下结合附图说明和具体实施方式对本技术作进一步描述如图1至4所示的一种半导体发光二极管封装件，包括引线架1，所述的引线架1 包括第一引线架体11和第二引线架体12，在所述的第一引线架体11上固定连接有至少一块半导体晶片2，在所述的第一引线架体11与半导体晶片2之间设有导电粘胶3，在所述的半导体晶片2与第二引线架体12之间连接有表面包覆钯层的键合银丝4，在所述的第一引线架体11和第二引线架体12的一端上还设有将半导体晶片2，键合银丝4封装起来的密封体5。其中所述的密封体5封装可为全环氧密封或金属底座环氧密封或陶瓷底座环氧或玻璃密封或其它物质密封。如图3所示，本技术半导体晶片2的第一种实施方式，所述为半导体晶片2多块，各块半导体晶片2之间串联后通过所述的键合银丝4与所述的第二引线架体12连接。如图4所示，本技术半导体晶片2的第一种实施方式，所述的半导体晶片2为多块，各块半导体晶片2分别通过键合银丝4与所述的第二引线架体12连接。如图2所示，本技术中在所述的导电粘胶3上设有连通所述半导体晶片2与第一引线架体11的散热孔6。权利要求1.一种通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，包括引线架(1)，所述的引线架(1)包括第一引线架体(11)和第二引线架体(12)，在所述的第一引线架体 (11)上固定连接有至少一块半导体晶片O)，在所述的第一引线架体(11)与半导体晶片 (2)之间设有导电粘胶(3)，其特征在于在所述的半导体晶片(2)与第二引线架体(12)之间连接有表面包覆钯层的键合银丝G)，在所述的第一引线架体(11)和第二引线架体(12) 的一端上还设有将半导体晶片O)，键合银丝(4)封装起来的密封体(5)。2.根据权利要求1所述的通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，其特征在于所述的半导体晶片( 为多块，各块半导体晶片( 之间串联后通过所述的键合银丝(4)与所述的第二引线架体(12)连接。3.根据权利要求1所述的通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，其特征在于所述的半导体晶片(2)为多块，各块半导体晶片(2)分别通过键合银丝(4)与所述的第二引线架体(12)连接。4.根据权利要求1所述的通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，其特征在于在所述的导电粘胶(3)上设有连通所述半导体晶片(2)与第一引线架体(11)的散热孔(6)。专利摘要本技术公开了一种通过表面包覆钯层的键合银丝连接的发光二极管封装件，包括引线架，所述的引线架包括第一引线架体和第二引线架体，在所述的第一引线架体上固定连接有至少一块半导体晶片，在所述的第一引线架体与半导体晶片之间设有导电粘胶，其特征在于在所述的半导体晶片与第二引线架体之间连接有表面包覆钯层的键合银丝，在所述的第一引线架体和第二引线架体的一端上还设有将半导体晶片，键合银丝封装起来的密封体。本技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，可提高可靠性、热转移效率、功率和光折射率，延长使用寿命，降低生产成本的半导体发光二极管封装件。文档编号H01L33/64GK202172068SQ201120260098公开日2012年3月21日 申请日期2011年7月21日 优先权日2011年7月21日专利技术者袁毅 申请人:袁毅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁毅，
申请(专利权)人：袁毅，
类型：实用新型
国别省市：