靶材制造技术

本实用新型专利技术公开了一种靶材，该靶材包括：靶材本体；设置在靶材本体上的预设位置处的凸起。本实用新型专利技术所提供的靶材，由于在靶材本体的预设位置处设置有凸起，所述凸起可增加预设位置处的厚度，所述预设位置对应在溅射过程中受高能量粒子撞击比较严重的位置，因此，在预设位置处设置凸起可延长所述预设位置处的靶材承受高能量粒子撞击的时间，使得此处不会轻易被撞击形成凹坑，进而可延长该靶材的使用寿命。除此之外，该靶材在寿命耗尽时，其上剩余的靶材材料较少，进而避免了靶材材料的浪费，节省了工艺成本。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种靶材。
技术介绍
半导体器件制造过程可分为前段工艺和后段工艺，前段工艺中主要在晶片上形成晶体管、电容或电阻等相应器件，后段工艺主要将前段工艺中形成的器件通过金属相连，即主要形成金属互连。后段工艺中一般包括4 6层金属互连，通过光刻工艺，在每一层金属互连所对应的介质层中形成通孔，在通孔内引入金属可将器件和金属层连接起来。金属互连工艺中需要在晶片上形成金属层，金属层的形成一般采用物理气相沉积 (PVD)方法，最开始的PVD —般依靠灯丝蒸发来实现，之后用电子束代替了灯丝，再后来发展成通过溅射的方式来实现。在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材固体平板，通过物理过程撞击出原子，这些被撞击出来的原子穿过真空，最后沉积在晶片上。现有工艺中常用的溅射靶材(可简称靶材)一般为圆盘状结构，且靶材表面为光滑的平面结构。当该靶材被多次使用之后，其表面将不再是平整的结构，而是形成了多个环状的凹坑，这是由于溅射过程中高能粒子撞击靶材表面的角度、频率及能量等有所不同而导致。参考图1，图1示出了被多次使用后的靶材的俯视结构图。图中示出了圆形的靶材 10，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种靶材，其特征在于，包括：靶材本体；设置在靶材本体上的预设位置处的凸起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：费伟，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32