等离子显示屏、等离子显示屏的后基板组件及其制作工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种等离子显示屏、等离子显示屏的后基板组件及其制作工艺。其中，等离子显示屏的后基板组件，包括：后基板；纵向障壁(11)和与纵向障壁(11)相垂直设置的横向障壁(13)，纵向障壁(11)和横向障壁(13)均设置在后基板上，纵向障壁(11)和横向障壁(13)围成放电空间；寻址电极(30)，从横向障壁(13)中穿过，并穿过放电空间，寻址电极(30)与后基板之间具有距离。本发明专利技术的等离子显示屏的后基板组件有效地缩短了寻址电极和扫描电极之间的距离，这样，有效地解决现有技术中功耗较大的问题，从而提高了发光率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子显示
，具体而言，涉及一种等离子显示屏、等离子显示屏的后基板组件及其制作工艺。
技术介绍
现有技术中的交流气体放电等离子显示屏均采用表面放电型结构，包括一个前基板及与之封接在一起的后基板，前基板上配置有透明电极ITO和汇流电极，透明电极和汇流电极构成放电电极，放电电极包括维持放电电极X和扫描放电电极Y，在放电电极的表面覆盖有一层介质层，介质层上覆盖保护层，该保护层是氧化镁膜。后基板上配置有与放电电极相互垂直的寻址电极，寻址电极上覆盖一层介质层，介质层上配置有与其寻址电极平行的条状障壁，且在条状障壁的底部覆盖有荧光粉层，前后基板用低熔点玻璃粉封接在一起， 并且在其间充有放电气体。交流气体放电等离子显示屏随着分辨率逐渐升高，功耗不断增大，其原因之一是发光单元变小，寻址电极变窄，这样，不可避免地增大了寻址电压，从而降低了发光效率。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种等离子显示屏、等离子显示屏的后基板组件及其制作工艺， 以解决现有技术中功耗较大的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种等离子显示屏的后基板组件，包括后基板；纵向障壁和与纵向障壁相垂直设置的横向障壁，纵向障壁和横向障壁均设置在后基板上，纵向障壁和横向障壁围成放电空间；寻址电极，从横向障壁中穿过，并穿过放电空间，寻址电极与后基板之间具有距离。进一步地，寻址电极呈弯折形，包括第一寻址电极，位于每个放电空间内，与纵向障壁平行设置；第二寻址电极，位于每个放电空间内，从第一寻址电极的两端分别沿横向障壁向上延伸；第三寻址电极，连接相邻的两个放电空间内的相邻的第二寻址电极。进一步地，横向障壁包括位于第三寻址电极下方的第一横向障壁和位于第三寻址电极上方的第二横向障壁。进一步地，第一横向障壁的高度与第二横向障壁的高度的比值范围为0.25至 0. 82。根据本专利技术的另一方面，提供了一种等离子显示屏，具有后基板组件，后基板组件为上述的后基板组件。根据本专利技术的另一方面，提供了一种等离子显示屏的后基板组件的制作工艺，用于制作上述的后基板组件，包括以下步骤在后基板上制作纵向障壁和横向障壁，使纵向障壁和横向障壁围成放电空间；制作寻址电极，使寻址电极穿过横向障壁及放电空间，并使寻址电极与后基板之间具有距离。进一步地，在制作横向障壁和寻址电极的步骤中进一步包括在后基板上制作第一横向障壁；制作电极，使得电极位于第一横向障壁的上方；制作介质；在第一横向障壁上方制作第二横向障壁。进一步地，制作第一横向障壁和第二横向障壁使用喷砂法或刻蚀法。进一步地，制作电极使用印刷法或显影法。进一步地，在制作介质的步骤之前还包括干燥和烧结步骤。在本专利技术的技术方案中，等离子显示屏的后基板组件包括后基板、纵向障壁、横向障壁和寻址电极。其中，纵向障壁和与纵向障壁相垂直的设置在后基板上，纵向障壁和横向障壁围成放电空间，寻址电极从横向障壁中穿过，并穿过放电空间，寻址电极与后基板之间具有距离。本专利技术的后基板组件中寻址电极从横向障壁中穿过且与后基板之间具有距离，这样，有效缩短了寻址电极和扫描电极之间的距离，因此，可以减小寻址电压，从而提高发光率。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中图1示出了根据本专利技术的等离子显示屏的后基板组件的实施例一的结构示意图；图2示出了根据本专利技术的等离子显示屏的后基板组件的实施例二的结构示意图； 以及图3示出了根据本专利技术的等离子显示屏的后基板组件的制作工艺的实施例的流程示意图。具体实施例方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。图1示出了根据本专利技术的等离子显示屏的后基板组件的实施例一的结构示意图。 如图1所示，从图中可以看出，实施例一的等离子显示屏的后基板组件包括后基板、纵向障壁11、横向障壁13和寻址电极30。其中，纵向障壁11和与纵向障壁11相垂直设置的横向障壁13均设置在后基板上，纵向障壁11和横向障壁13围成放电空间，寻址电极30从横向障壁13中穿过，并穿过放电空间，寻址电极30与后基板之间具有距离。前基板组件的BUS电极即X和Y电极，由外界电源加一定电压后产生放电，放电后产生的正离子和电子积累在介质表面上形成壁电荷。此时后基板组件上的某个放电空间的寻址电极即ADD电极如果被加上一定的电压，此刻，该空间被点亮。当前基板组件的扫描电极，也就是Y电极与后基板组件上的被加电的寻址电极放电时，产生电子的数量多少，放电时间的长短，与整个器件的质量有很大关系。本实施例的后基板组件中寻址电极30从横向障壁13中穿过且与后基板之间具有距离，这样，有效缩短了寻址电极13和扫描电极之间的距离，因此，可以减小寻址电压，从而提高发光率。在实施例二中，如图2所示，寻址电极30呈弯折形，包括第一寻址电极31、第二寻址电极33和第三寻址电极35。其中，第一寻址电极31位于每个放电空间内，与纵向障壁11平行设置，第二寻址电极33位于每个放电空间内，从第一寻址电极31的两端分别沿横向障壁13向上延伸，第三寻址电极35连接相邻的两个放电空间内的相邻的第二寻址电极33。实施例二的后基板组件中不仅使得寻址电极30和扫描电极之间的距离减小，而且放电面积增大，因此，可以减小寻址电压，同时增大放电路径，提高发光效率。优选地，横向障壁13包括位于第三寻址电极35下方的第一横向障壁13a和位于第三寻址电极35上方的第二横向障壁13b。第一横向障壁13a的高度与第二横向障壁1 的高度的比值范围为0. 25至0. 82。这样，一方面可以有效减小寻址电压，另一方面又不会因为第二横向障壁13b高度过小而影响显示效果。本专利技术还提供了一种等离子显示屏，具有后基板组件，后基板组件为上述的后基板组件。本等离子显示屏可以减小寻址电压，从而提高发光效率。本专利技术还提供了一种等离子显示屏的后基板组件的制作工艺，用于制作上述的后基板组件，如图3所示，包括以下步骤SlO 在后基板上制作纵向障壁11和横向障壁13，使纵向障壁11和横向障壁13围成放电空间。S20 制作寻址电极30，使寻址电极30穿过横向障壁13及放电空间，并使寻址电极30与后基板之间具有距离。优选地，在制作横向障壁13和寻址电极30的步骤中进一步包括在后基板上制作第一横向障壁13a ；制作电极30，使得电极30位于第一横向障壁 13a的上方；制作介质；在第一横向障壁13a上方制作第二横向障壁13b。优选地，制作第一横向障壁13a和第二横向障壁1 使用喷砂法或刻蚀法，制作电极30使用印刷法或显影法。优选地，在制作介质的步骤之前还包括干燥和烧结步骤。采用本专利技术的等离子显示屏的后基板组件的制作工艺的技术方案进行后基板组件的制作，举例如下例1 下基板使用喷砂法制作障壁，其高度为35um，形状为口字型即横纵两个方向均有障壁。印刷法印刷电极。干燥温度140°C，烧结温度580°C。制作介质。涂覆障壁浆料后应用喷砂法增加障壁高度135um，即障壁总高度为170um。例2 下基板使用刻蚀法制作障壁，其高度为50um。显影方法制作电极。干燥温度155°C，烧结温度580°C本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子显示屏的后基板组件，其特征在于，包括：后基板；纵向障壁（１１）和与所述纵向障壁（１１）相垂直设置的横向障壁（１３），所述纵向障壁（１１）和横向障壁（１３）均设置在所述后基板上，所述纵向障壁（１１）和横向障壁（１３）围成放电空间；寻址电极（３０），从所述横向障壁（１３）中穿过，并穿过所述放电空间，所述寻址电极（３０）与所述后基板之间具有距离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：曹瑞林，
申请(专利权)人：四川虹欧显示器件有限公司，
类型：发明
国别省市：51