本发明专利技术公开了抗反射涂料组合物，其包含具有染料或发色团结构部分和交联性官能团的聚合物、任选的交联性组分和一种或多种具有式Ｗ－（Ｌ－（Ｇ））ｐ的光活性化合物，其中Ｗ是ＰＡＧ或Ｑ，其中ＰＡＧ是光酸产生剂，Ｑ是猝灭剂；每个Ｌ是直接键或连接基；每个Ｇ独立地是Ｇ１或Ｇ２；Ｇ１是ＯＨ；Ｇ２是ＯＣＨ＝ＣＨ２；ｐ是１－１２。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可用作多层体系中的涂层的水性可显影涂料组合物和其中使用的新型化合物。
技术介绍
在数种工业(例如，清漆、印刷油墨、油漆和平版印刷市场)中，将多层体系与多种基材相关地使用。在有些情况下，这些体系含有酸可固化树脂。酸可固化树脂组合物含有至少一种能够酸催化缩聚的组分。这些材料为本领域技术人员所熟悉的；它们在工业上以大数量采用如对于许多应用而言合适的对它们的材料性能的改进而生产。在有些情况下， 材料交联而形成涂层。酸可固化树脂组合物可以含有例如，醇酸树脂、蜜胺树脂、脲树脂、胍胺树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、(甲基)丙烯酸类树脂、聚乙烯基树脂、乙烯基醚、乙烯基酯、 苯乙烯/取代的苯乙烯树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂和它们的混合物。混合物的实例包括，但不限于，蜜胺/(甲基)丙烯酸类树脂、蜜胺/聚酯树脂、蜜胺/醇酸树脂、 乙烯基醚/(甲基)丙烯酸类树脂、乙烯基醚/取代的苯乙烯树脂等。其中使用多层体系的一个实例是缩微光刻或光刻工业。光致抗蚀剂组合物用于缩微光刻方法，这些方法例如在计算机芯片和集成电路的制造中用于制造小型化电子元件。通常，在这些方法中，首先将光致抗蚀剂组合物的薄涂膜施加于基材材料上，例如施加于用于制造集成电路的硅晶片上。然后烘烤该已涂覆的基材以使该光致抗蚀剂组合物中的任何溶剂蒸发并将涂层固定到基材上。让该基材的经烘烤和涂覆的表面接下来经历对辐射的成像式曝光。该辐射曝光导致该涂覆表面的曝光区域发生化学转变。目前，可见光、紫外(UV)光、电子束和X射线辐射能是缩微光刻方法中常用的辐射类型。在这一成像式曝光之后，用显影剂溶液处理已涂覆的基材以溶解和除去光致抗蚀剂的已辐射曝光或未曝光的区域。存在两类光致抗蚀剂组合物，负作用和正作用型。当正作用光致抗蚀剂组合物对辐射进行成像式曝光时，该光致抗蚀剂组合物的暴露在辐射下的区域变得可溶于显影剂溶液，而该光致抗蚀剂涂层的未曝光区域保持较不可溶于此种溶液。因此，用显影剂对曝光过的正作用光致抗蚀剂的处理引起光致抗蚀剂涂层的曝光区域被除去并在该涂层中形成正像，从而露出其上沉积了该光致抗蚀剂组合物的底层基材表面的所需部分。在负作用光致抗蚀剂中，显影剂除去没有曝光的部分。半导体器件小型化的趋势已经既导致使用对越来越低的辐射波长敏感的新型光致抗蚀剂，又导致使用尖端多级系统来克服与此类小型化有关的困难。在这些多水平或多层体系中，例如，高度吸收性抗反射涂料在光刻法中的应用是减弱由光从高度反射性基材的背反射引起的问题的更简单途径。将可显影底部抗反射涂层施加在基材上，然后将光致抗蚀剂的层施加在抗反射涂层的上面。将光致抗蚀剂成像式曝光和显影。该可显影底部抗反射涂层也可用与通常用来将光致抗蚀剂显影的相同的水性碱性显影溶液显影。此外，在多层体系中还使用阻隔涂层或顶部抗反射涂层或浸渍保护涂层。 经常，在室温以上的温度下烘烤涂料工业中使用的配制剂。可以改变烘烤温度，这取决于施加的涂层的类型和其所需用途。在有些情况下，具有含有具有低分解温度(这又涉及低烘烤温度)的热酸产生剂的涂层是有利的。
技术实现思路
专利技术概述本专利技术涉及抗反射涂料组合物，其包含具有染料或发色团结构部分和交联性官能团的聚合物、任选的交联性组分和一种或多种具有以下式的光活性化合物W-(L-(G))p(I)其中W是PAG或Q，其中PAG是光酸产生剂，Q是猝灭剂；每个L是直接键或连接基；每个G独立地是Gl或G2 ；Gl是OH ；G2是OCH = CH2 ；ρ是1_12。优选的是组合，其中W 是PAG ；G是G2 ;ρ是2-6或其中W是PAG ；G是Gl ;ρ是2_6或其中W是Q ;G是G2 ;ρ是2_6 或其中W是Q ;G是Gl ；ρ是2-6。一些实施方案包括其中ρ是2-6以及当在相同化合物上存在Gl和G2的混合物时的那些；例如(Gl-L)pl-W-(L-G2)p2，其中pi和p2各自大于或等于 1 且 pl+p2 等于 2-12。本专利技术涉及能够用水性碱性显影剂显影并且涂在正作用光致抗蚀剂下面的正作用底部可光致成像抗反射涂料组合物，其中所述抗反射涂料组合物包含聚合物和具有以下式的一种或多种化合物W-(L-(G))p(I)其中W是PAG或Q，其中PAG是光酸产生剂，Q是猝灭剂；每个L是直接键或连接基；每个G独立地是Gl或G2 ；Gl是OH ；G2是OCH = CH2 ；ρ是1_12。优选的是组合，其中W 是PAG ；G是G2 ;ρ是2-6或其中W是PAG ；G是Gl ;ρ是2_6或其中W是Q ;G是G2 ;ρ是2_6 或其中W是Q ;G是Gl ；ρ是2-6。一些实施方案包括其中ρ是2-6以及当在相同化合物上存在Gl和G2的混合物时的那些；例如(Gl-L)pl-W-(L-G2)p2，其中pi和p2各自大于或等于 1 且 pl+p2 等于 2-12。本专利技术还涉及与至少一种其它涂料组合物结合使用的第一涂料组合物，其中所述第一涂料组合物包含聚合物和具有以下式的一种或多种光活性化合物W-(L-(G))p其中W是PAG或Q，其中PAG是光酸产生剂，Q是猝灭剂；每个L是直接键或连接基；每个G独立地是Gl或G2 ；Gl是OH ；G2是OCH = CH2 ；ρ是1-12。本专利技术还涉及能够用水性碱性显影剂显影并且涂在正作用光致抗蚀剂下面的正作用底部可光致成像抗反射涂料组合物，其中所述抗反射涂料组合物由(a)或者(al)至少一种以下式(1)的化合物和至少一种以下式O)的化合物的混合物PAG- (-L-0H)P(1)PAG-(-L-0CH = CH2) p(2)或者(a2)至少一种以下式(5)的化合物(HO-L) pl-PAG-(-L-0CH = CH2) p2(5)和(b)溶剂构成，8 其中PAG是光酸产生剂，每个L是直接键或连接基；ρ是1-12的整数；pi和p2各自大于或等于1且P1+P2等于2-12，其中至少一个PAG含有发色团结构部分。所述组合物可以进一步包含选自以下式的化合物和它们的混合物，其中Q是猝灭剂，每个L是直接键或连接基；ρ是1-12的整数； P3和p4各自大于或等于1且p3+p4等于2-12。此外，所述组合物还可以包含热酸产生剂。本专利技术还涉及选自以下组的化合物 PAG- (-L-0CH = CH2) pQ-(-L-0CH = CH2) p(HO-L) pl-PAG- (-L—0CH = CH2) p2(HO-L) pl-Q- (-L-0CH = CH2) p2其中PAG是光酸产生剂，Q是猝灭剂，其中每个L是直接键或连接基；ρ是1-12 ；pi 和p2各自大于或等于1且pl+p2等于2-12，条件是排除甲苯磺酸双{4-苯}-3，5_ 二甲基-4-苯锍、三氟甲磺酸双{4-苯} -3，5- 二甲基-4-甲氧基苯锍、全氟-1- 丁烷磺酸双{4-苯}-3，5_ 二甲基-4-甲氧基苯锍、10-樟脑磺酸三{4- 苯}锍和环己烷氨基磺酸三{4-苯}锍。本专利技术还涉及经涂覆基材，其中本专利技术涂料组合物的层涂覆在另一个涂层的上面或下面或，在有些情况下，本专利技术涂料组合物的层在两个其它层之间。本专利技术还涉及形成图像的方法，包括a)在基材上形成本专利技术抗反射涂料组合物的涂层；b)烘烤该抗反射涂层，c)在该抗反射涂层上方提供顶部光致抗蚀剂层的涂层；d) 本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．抗反射涂料组合物，其包含具有染料或发色团结构部分和交联性官能团的聚合物、任选的交联性组分和一种或多种具有以下式的光活性化合物Ｗ－（Ｌ－（Ｇ））ｐ其中Ｗ是ＰＡＧ或Ｑ，其中ＰＡＧ是光酸产生剂，Ｑ是猝灭剂；每个Ｌ是直接键或连接基；每个Ｇ独立地是Ｇ１或Ｇ２；Ｇ１是ＯＨ；Ｇ２是ＯＣＨ＝ＣＨ２；ｐ是１－１２。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·M·霍利亨，
申请(专利权)人：AZ电子材料美国公司，
类型：发明
国别省市：US
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