【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过利用四氯硅烷减少壁上沉积的流化床反应器生产硅相关申请的交叉引用根据35U. S. C. 120，本申请要求2008年11月5日提交的美国专利申请号 12/265, 038的权益。将美国专利申请号12Λ65，038并入本文以供参考。关于联邦资助研究的声明无
技术介绍
众所周知，通过被称为西门子工艺(Siemens process)的方法可以制造棒形硅。将包括氢和硅烷(SiH4)的混合物或包括氢和三氯硅烷(HSiCl3)的混合物供入含有温度保持在高于1000°C的籽晶杆的分解反应器中。硅在该籽晶杆上沉积，并且副产物气体混合物以排放流排出。当使用包括氢和三氯硅烷的混合物时，排放流包括氢、氯化氢、氯硅烷、硅烷和硅粉末。为本申请的目的，术语“氯硅烷”是任意具有一个或多个与硅结合的氯原子的硅烷类型，并且包括，但不限于一氯甲硅烷(H3SiCl)、二氯甲硅烷(H2SiCl2)、三氯硅烷(HSiCl3)、 四氯硅(SiCl4)以及各种氯化的乙硅烷(例如六氯乙硅烷和五氯二硅烷)。为本申请的目的，术语“硅单体”是指每一分子具有一个硅原子(例如硅烷、或HSiCl3或HSiCl3和SiCl4...
【技术保护点】
１．一种方法，包括：１）将包括氢的沉积气体和硅单体供入流化床反应器的内部区域，其中所述硅单体选自ＳｉＨ４和ＨＳｉＣｌ３，并且将所述沉积气体引入所述流化床反应器的加热区，以及同时２）使基本上由ＳｉＣｌ４组成的蚀刻气体通过周边区域供入所述流化床反应器的加热区中，其中所述周边区域在所述内部区域和所述流化床反应器壁之间；以及其中，步骤１）中所述硅单体的量足以将硅沉积在位于所述流化床反应器中加热区之上的反应区中的流化硅颗粒上，并且步骤２）中ＳｉＣｌ４的量足以从所述流化床反应器壁上蚀刻硅。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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