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本发明公开通过向靠近流化床反应器壁的地方供入蚀刻气体的方法来抑制流化床反应器壁上硅沉积。所述蚀刻气体包括四氯硅烷。可以将西门子反应器并入到所述方法中，以便将来自所述西门子反应器的排放气体用于形成供入所述流化床反应器的供入气体和／或蚀刻气体。...
该专利属于赫姆洛克半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过赫姆洛克半导体公司授权不得商用。

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