【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，尤其是干式工序等中的、将载置于工作台上的半导体晶片的温度控制为目标温度且将半导体晶片的面内的温度分布控制为所期望的温度分布时使用的优良的装置及方法。
技术介绍
在对硅晶片等半导体晶片实施处理的工序中，存在必须将硅晶片的温度控制为目标温度且将硅晶片(或硅晶片上的堆积物)的面内的温度分布控制为所期望的温度分布的工序。例如在干式工序时，需要使硅晶片(或硅晶片的堆积层)的面在真空腔室内均勻地通过等离子进行蚀刻。由此，必须控制使硅晶片的面内的温度分布均勻。不过，存在蚀刻处理中的反应生成物再附着在蚀刻面上而使蚀刻比率降低的情况。反应生成物在与硅晶片面的外周部相比的内周部更容易较多地分布。由此，寻求使等离子体蚀刻中的硅晶片的温度在面内均勻地控制，但基于反应生成物的生成，以使反应生成物的分布相抵消的方式在硅晶片的面内的外周部和内周部发生温度不同的方式来调整温度分布。即，寻求以消除外部干扰的方式来对硅晶片的面内温度分布进行精度良好地调整。另外，在使半导体设备的品质为高品质方面，也寻求使硅晶片的面内的温度分布精度良好地成为所期望的温度分布(使面内均勻或使面内温度分布...
【技术保护点】
１．一种半导体晶片的温度控制装置，其将载置于工作台上的半导体晶片的温度控制为目标温度，且将半导体晶片的面内的温度分布控制为所期望的温度分布，其特征在于，具有：低温槽，其积存有循环液，该循环液被维持在比目标温度低的低温；高温槽，其积存有循环液，该循环液被维持在比目标温度高的高温；多个区域，该多个区域为形成在工作台内的各部分且能够独立地进行温度调整的多个区域，并分别配置有热电元件；工作台内流路，其形成在工作台内并流有循环液；切换机构，其有选择地切换低温槽内的低温循环液和高温槽内的高温循环液并向工作台内流路供给；控制机构，其在使半导体晶片的温度上升而控制为目标温度的情况下，切换到...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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