【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及一种用于薄膜沉积和表面化学改性的等离子体源。更具体的是，本专利技术涉及一种用于等离子体增强的化学气相沉积(CVD)的线性等离子体源。
技术介绍
本文中所引用的所有美国专利和专利申请以其整体通过参考结合于此。在抵触的情况中，将对照包括定义的本说明书。薄膜的沉积可以由许多技术实现，最常见的包括化学沉积、物理沉积和两者的混合。对于化学沉积，众所周知的技术是镀敷、化学溶液沉积(CSD)和化学气相沉积(CVD)。 镀敷和CSD通常利用液态的化学前驱，而CVD通常利用气态的化学前驱。所述技术可以在大气压力或者真空条件下执行。对于物理沉积，众所周知的技术是热蒸发、溅射、脉冲激光沉积和阴极弧沉积。所述物理沉积技术通常应用真空条件，以便沉积所要求的薄膜材料。关于化学沉积，最常见的技术是CVD，然而对于物理沉积，最常见的技术是溅射。CVD通常需要引入能源，以便产生这样的条件，前驱气体将粘附或者粘着到基板表面上。换句话说，将不会发生粘附到表面上。例如，在热解CVD过程中，由此希望在平板玻璃基板上沉积出薄膜涂层，一般是加热玻璃基板。加热的玻璃基板起到CVD能源的作用...
【技术保护点】
１．一种等离子体源，其包括：第一电子发射表面和第二电子发射表面；其中所述电子发射表面电连接到电源上，该电源供应在正和负之间交变的电压；其中所述电子发射表面被气体容纳空间分开；其中供应至第二电子发射表面的电压与供应至第一电子发射表面的电压不同相；其中包含二次电子的电流在所述电子发射表面之间流动；以及其中在所述电子发射表面之间产生等离子体，其中所述等离子体是线性的并且长度为至少大约０．５米，并且被设定为在基本上没有闭路电子漂移的情况下在其长度上基本上均匀。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·马诗威茨，
申请(专利权)人：北美AGC平板玻璃公司，
类型：发明
国别省市：US
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