【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及半导体器件，并且更特别地涉及M0SEFT。
技术介绍
MOSFET可以用作用于电子系统中的相对高电压和/或高电流的功率开关。随着半 导体电路尺寸的减小，在某些MOSFET中，多晶硅栅极长度被减小。这可能导致栅极下面的 减小的沟道区。沟道区的减小减小了栅极能够控制的沟道的面积量并从而减低了晶体管的 击穿电压。需要的是改进的MOSFET器件。 附图说明通过参考附图，可以更好地理解本专利技术，并且使其许多目的、特征和优点对于本领 域的技术人员来说明显。图1 12是根据本专利技术的一个实施例的半导体器件制造中的各种阶段的部分剖 面侧视图。图13 17是根据本专利技术的另一实施例的半导体器件制造中的各种阶段的部分剖 面侧视图。除非另外说明，相同附图标记在不同图中的使用指示相同的项目。附图不一定按 比例绘制。具体实施例方式下面阐述用于实现本专利技术的方式的详细说明。该说明意图说明本专利技术且不应将其 视为限制性的。图1是将用来制造根据本专利技术的一个实施例的MOSFET的晶片101的部分剖面侧 视图。在所示的实施例中，晶片101包括硅或其它半导体材料(...
【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：第一导电类型和第一掺杂浓度的半导体层；在所述半导体层的第一部分之上的第一半导体区域，其中，所述第一半导体区域是第一导电类型并具有小于所述第一掺杂浓度的掺杂浓度；在所述第一半导体区域的顶面上的栅极电介质；在所述栅极电介质上的栅电极，其中，所述栅电极包括在所述栅极电介质上的包含金属的中心部分、在所述栅极电介质上的与所述中心部分的第一侧横向地相邻的第一硅部分和在所述栅极电介质上的与所述中心部分的第二侧横向地相邻的第二硅部分，其中，所述第一侧与所述第二侧相反；第二半导体区域，其包括在所述第一硅部分和所述栅极电介质下面的第一部分，其中，所述第二半导体区域是不...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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