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一种半导体器件，包括第一导电类型和第一掺杂浓度的半导体层。第一导电类型的被用作漏极的第一半导体区域具有比半导体层低的掺杂浓度并在半导体层之上。栅极电介质（１０９）在第一半导体区域之上。栅极电介质之上的栅电极（４０５）具有包含金属的中心部分（...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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