【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及铌酸锂光电调制器，更具体来讲是涉及具有减轻DC偏压漂移的掺杂 半导体结构的铌酸锂光电调制器。
技术介绍
光电调制器是光学器件，在其中使用显示光电效应的信号控制元件来调制光束。 光电调制器是用于高速光传输系统的关键部件。由于铌酸锂的高光电系数及高质量结晶， 所以这类光电调制器通常由被称为“LN”的铌酸锂(LiNbO3)制成。LN调制器主要用作光电 调制器，该调制器将高速电信号转化为光信号用于长距离通信系统，例如用于人造卫星和 陆地应用的自由空间激光通信系统以及陆地和水下光纤通信系统。LN光电调制器的设计通 常使用以马赫-曾德尔配置制造在平面衬底上的波导。与已知LN光电调制器有关的事件是DC (直流)偏压漂移的发生，它是由该器件中 非预期的电荷生成及电荷重新分布所引起的。DC偏压漂移是电源输出电压的变化，所述电 源被用来在某段时间上将调制器偏置在某个工作点上。维持偏压条件所要求的电压稳定增 加可以引起控制系统重置发生，这会导致数据丢失。此外，LN光电调制器DC偏置电压的漂 移导致了相对强度的相位偏移。随着时间的推移，由于偏置的增长，该DC偏置电压不再能 够...
【技术保护点】
１．一种铌酸锂光电调制器，包括：光波导形式的铌酸锂衬底，所述光波导具有一个或多个ＤＣ部分和ＲＦ部分；图形化在所述一个或多个ＤＣ部分中的所述光波导上的重掺杂半导体层；淀积在所述ＲＦ部分中的所述光波导上的缓冲层；接触所述半导体层的金属层；以及在所述ＲＦ部分和所述一个或多个ＤＣ部分中的所述光波导上的一个或多个电极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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