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提供了一种用于减轻ＤＣ偏压漂移的铌酸锂调制器结构（３０），其包括图形化在具有一个或多个ＤＣ部分（３８，４０）和ＲＦ部分（４２）的光波导（３４）上的重掺杂半导体层（４４，５４），其中金属层或触点（５０）与半导体层（４４，５４）的一部分相接触并...
该专利属于波音公司所有，仅供学习研究参考，未经过波音公司授权不得商用。

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