本发明专利技术提供一种半导体集成电路以及具备该半导体集成电路的升压电路。半导体集成电路（１０２）包括：串联连接在第一电压与第二电压之间的第一晶体管（１２１）及第二晶体管（１２２）；控制第一晶体管的第一反相器（１２３）；控制第二晶体管的第二反相器（１２８）；和电流源（１２６、１３１）；电流源与第一及第二反相器中的至少一个反相器串联连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及的半导体集成电路即使电源电压升高也可以抑制高频噪声，因此，在要求提高高频噪声的耐性或者要求较低的高频噪声的升压电路等中是有用的。0136]符号说明0137]100,200升压电路0138]102,103时钟缓冲电路(半导体集成电路)0139]120驱动电路0140]121Pch晶体管0141]122Nch晶体管0142]123反相电路(第一反相电路)0143]126电流源(第一电流源)0144]127Nch晶体管0145]128反相电路(第二反相电路)0146]131电流源(第二电流源)0147]132Pch晶体管0148]201,202时钟缓冲电路(半导体集成电路)0149]500、500A半导体集成电路0150]501电源电压检测电路0151]502、502A控制电路0152]503、503A振荡器0153]Cl C4升压电容权利要求1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括第一晶体管及第二晶体管，串联连接在第一电压与第二电压之间； 第一反相器，控制所述第一晶体管； 第二反相器，控制所述第二晶体管；和电流源；所述电流源与所述第一反相器和所述第二反相器中的至少一个反相器串联连接。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述电流源是被施加恒定电压的恒流源。3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述电流源根据时钟信号来控制电流值。4.根据权利要求1 3中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述第二反相器被供给第三电压。5.根据权利要求1 4中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述电流源是切换多个电流值的电流源。6.一种半导体集成电路，其特征在于，包括 第一晶体管，配置在第一电压与输出端子之间；第二晶体管，配置在所述输出端子与第二电压之间； 第一反相器，与所述第一晶体管的栅极连接；和第二反相器，与所述第二晶体管的栅极连接；该半导体集成电路还包括第一电流源或者第二电流源中的至少一个电流源，所述第一电流源设置在所述第一反相器与所述第二电压之间，所述第二电流源设置在所述第一电压与所述第二反相器之间。7.一种半导体集成电路，其特征在于，包括 第一晶体管，配置在第一电压与输出端子之间；第二晶体管，配置在所述输出端子与第二电压之间； 第一反相器，与所述第一晶体管的栅极连接；和第二反相器，与所述第二晶体管的栅极连接；该半导体集成电路还包括第一电流源或者第二电流源中的至少一个电流源，所述第一电流源设置在所述第一反相器与所述第二电压之间，所述第二电流源设置在第三电压与所述第二反相器之间。8.根据权利要求6或7所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一电流源和第二电流源中的至少一个电流源被施加恒定电压而被控制。9.根据权利要求6或7所述的半导体集成电路，其特征在于， 该半导体集成电路具备所述第一电流源及第二电流源双方，所述第一电流源由输入到所述第二反相器的第一时钟信号来控制， 所述第二电流源由输入到所述第一反相器的第二时钟信号来控制。10.根据权利要求1 9中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述半导体集成电路还包括具备寄存器的控制电路，该半导体集成电路根据设定在所述寄存器中的值来设定所述电流源的电流值。11.根据权利要求9所述的半导体集成电路，其特征在于， 所述半导体集成电路还包括具备寄存器的控制电路，所述控制电路根据设定在所述寄存器中的值，来设定所述第一电流源及第二电流源的电流值和所述第一时钟信号及第二时钟信号的频率。12.根据权利要求1 9中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，所述电流源根据检测外部电源电压的电压电平的电压检测电路的输出信号来设定电流值。13.根据权利要求9所述的半导体集成电路，其特征在于，该半导体集成电路还包括控制电路，该控制电路根据检测外部电源电压的电压电平的电压检测电路的输出信号来设定所述第一时钟信号以及第二时钟信号的频率，所述第一电流源及第二电流源根据所述电压检测电路的输出信号来设定电流值。14.一种升压电路，其特征在于，包括权利要求1 13中任一项所述的半导体集成电路；和一端与所述半导体集成电路连接的升压电容。全文摘要本专利技术提供一种半导体集成电路以及具备该半导体集成电路的升压电路。半导体集成电路(102)包括串联连接在第一电压与第二电压之间的第一晶体管(121)及第二晶体管(122)；控制第一晶体管的第一反相器(123)；控制第二晶体管的第二反相器(128)；和电流源(126、131)；电流源与第一及第二反相器中的至少一个反相器串联连接。文档编号H02M3/07GK102342006SQ20108001037公开日2012年2月1日 申请日期2010年11月19日 优先权日2009年12月3日专利技术者山平征二 申请人:松下电器产业株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种半导体集成电路，其特征在于，包括：第一晶体管及第二晶体管，串联连接在第一电压与第二电压之间；第一反相器，控制所述第一晶体管；第二反相器，控制所述第二晶体管；和电流源；所述电流源与所述第一反相器和所述第二反相器中的至少一个反相器串联连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山平征二，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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