等离子体处理装置制造方法及图纸

一种通过微波使气体激励而对基板（Ｇ）进行等离子体处理的微波等离子体处理装置（１０），包括：处理容器（１００），所述处理容器（１００）由金属形成；微波源（９００），所述微波源９００）输出微波；第一电介质（３０５），第一电介质（３０５）面向处理容器（１００）的内壁，将从微波源（９００）输出的微波向处理容器内透射；第二电介质（３４０），所述第二电介质（３４０）被设置在处理容器（１００）的内表面，抑制沿处理容器（１００）的内表面传播的微波。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过电磁波使气体激励而对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置，特别地涉及控制电磁波的传播的机构。
技术介绍
在向等离子体处理装置供给低频率微波时，不仅产生在第一电介质和等离子体之间传播的表面波(以下也称为电介质表面波(DSW:Dielectric Surface Wave))，而且产生在处理容器内壁的金属面和等离子体之间传播的表面波(以下也称为金属表面波(MSW Metal Surface ffave))。金属表面波在等离子体中的电子密度低于截止密度η。的2倍时无法传播。由于截止密度η。与微波的频率的平方成比例，因此如果频率低、电子密度不高，则金属表面波无法传播。而且，金属表面波的频率越低越难以衰减。在一般被用于等离子体的生成的Μ50ΜΗΖ的频率中，如果截止密度η。的值为 7. 5Χ101(ι(:πΓ3、电子密度不是1. 5 X IO1W3以上，则金属表面波不进行传播。例如，在表面附近的电子密度是IXlO11Cnr3左右的低密度等离子体中，金属表面波完全不进行传播。即使在电子密度更高的情况下，由于衰减较大，因此金属表面波的传播几乎没有问题的情况居多。另一方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置通过电磁波使气体激励来对被处理体进行等离子处理，包括：处理容器，所述处理容器由金属形成；电磁波源，所述电磁波源用于输出电磁波；第一电介质，所述第一电介质面向所述处理容器的内壁，将从所述电磁波源输出的电磁波向所述处理容器内透射；以及，第二电介质，所述第二电介质被设置在所述处理容器的内表面，抑制沿所述处理容器的内表面传播的电磁波。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：平山昌树，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：JP