改进等离子均匀性和效率的电感耦合等离子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电感耦合等离子反应器，其中，包括封闭壳体，其中所述封闭壳体的至少部分顶板由绝缘材料制成的绝缘材料窗。基片支撑装置，设置于所述封闭壳体中的所述绝缘材料窗的下方。射频功率发射装置位于所述绝缘材料窗上方，以发射射频功率穿过所述绝缘材料窗进入到所述封闭壳体中。多个气体注入器均匀分布在所述基片支撑装置上方，以提供处理气体到所述封闭壳体。环形挡板，设置于所述封闭壳体内以及所述基片支撑装置的上方和所述多个气体注入器的下方，以引导所述处理气体的流动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子反应器，特别是涉及电感耦合反应器中的气体均一分布的设计。
技术介绍
等离子反应器或反应腔在现有技术中是公知的，并广泛应用于半导体集成电路、 平板显示器，发光二极管(LED)，太阳能电池等的制造工业内。在等离子腔中通常会施加一个射频电源以产生并维持等离子于反应腔中。其中，有许多不同的方式施加射频功率，每个不同方式的设计都将导致不同的特性，比如效率、等离子解离、均一性等等。其中，一种设计是电感耦合(ICP)等离子腔。在电感耦合等离子处理腔中，一个通常是线圈状的天线用于向反应腔内发射射频能量。为了使来自天线的射频功率耦合到反应腔内，在天线处放置一个绝缘材料窗口。反应腔可以处理各种基片，比如硅晶圆等，基片被固定在夹盘上，等离子在基片上方产生。因此， 天线被放置在反应器顶板上方，使得反应腔顶板是由绝缘材料制成或者包括一个绝缘材料窗口。在等离子处理腔中，各种气体被注入到反应腔中，以使得离子和基片之间的化学反应和/或物理作用可被用于在所述基片上形成各种特征结构，比如刻蚀、沉积等等。在许多工艺流程中，一个很重要的指数是晶圆内部的加工均一性。也就是，一个作用于基片中心区域的工艺流本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子反应器，其中，包括：封闭壳体，其包括顶板，所述顶板构成绝缘材料窗；基片支撑装置，其设置于所述封闭壳体内的所述绝缘材料窗下方；射频功率发射装置，其设置于所述绝缘材料窗上方，以发射射频能量到所述封闭壳体内；气体注入器，其用于向所述封闭壳体内供应处理气体；挡板，其设置于所述封闭壳体内以及所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方，以限制所述处理气体的流动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石刚，许颂临，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31