用于生成激光束辐射轨迹的方法技术

技术编号:7127456 阅读:179 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种用于半导体封装制程中产生激光束辐射轨迹的方法,该方法可于半导体封装制造期间,在半导体封装的铸模部分中自动、准确、及容易产生激光束辐射轨迹。根据本发明专利技术,该方法用于一半导体封装制程装置产生激光束辐射轨迹,该装置沿着一螺旋轨道靠多个洞辐射一激光束在半导体封装的铸模部分之上,其包括下列步骤:启用一激光束辐射装置的控制器,其中多个螺旋轨迹图案是按类型储存,以选择这些螺旋轨迹图案类型其中之一;输入该选定螺旋轨迹图案的信息,以产生螺旋轨迹;及输入一激光束辐射条件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法,更特定地说,涉及制造一半导体封装的激光束辐射轨迹的生成方法,通过该方法,在叠层封装型(PoP ; Package on Package)等的一半导体封装的制造制程中能自动、精确而容易地生成一指向该半导体封装的一模具部分的螺旋激光束辐射轨迹。
技术介绍
目前,根据具有各种功能的小尺寸、多用途的发展趋势,诸如移动可携式电话、可携式互联网装置及可携式多媒体终端,诸如多芯片封装(MCP ;Multi Chip lockage)及叠层封装(PoP package on lockage)技术的各种半导体封装技术正在发展中,此等技术能实现制造重量轻且尺寸小的装置,同时也能制造高容量且高集成度的装置。彼等技术中,该叠层封装(PoP)技术是如此一技术,即堆叠其中组合有一个以上半导体芯片的封装,一般而言,为电连接通过结合一上半导体封装下侧上形成的焊球与一下半导体封装上侧上形成多个焊球而实现。通过该叠层封装技术结合这些上、下半导体封装之际,若这些两半导体封装因翘曲(warpage)而存在差异时,则使得该上半导体封装的这些焊球与该下半导体封装的这些焊球的精确结合变得困难,且因此形成缺陷的可能性大。目前,通过模制该下半导体封装使其与一部分一该焊球垫于该部分处完全于制造该下半导体封装的一模制步骤中形成一平齐,从而使得这些上、下半导体封装间的翘曲差异降低至最小程度后,如此处所附的图1与2所示,通过利用一激光束辐射装置20,在该半导体封装10的一模具部分11处,于每一这些焊球垫12的一部分中形成一通孔(via hole) 13,从而该焊球垫12曝露至该模具部分11的外侧。之后,通过使该上半导体封装上的这些焊球经由这些通孔13而与该下半导体封装10上的这些焊球垫12接触,从而该上半导体封装被堆叠于该下半导体封装上。与此同时,通过一方法,即沿着一螺旋轨迹辐射该激光束,通过辐射该激光束于与每一这些焊球垫相匹配的一位置处均勻切割该模具部分,从而在该下半导体封装的该模具部分中形成该通孔,同时通过该激光束将对该焊球垫的损害降低至最小程度。该激光束的如此一螺旋轨迹首先通过CAD绘出,该轨迹的数字信息被提供至该激光束辐射装置的一控制器,用于在形成该通孔之时始终以固定的轨迹辐射该激光束。然而,若在一半导体封装制造制程中制造该半导体封装的种类或尺寸发生变化, 则也需改变该螺旋轨迹,用以满足该半导体封装的该种类或尺寸。然而,如前所述,在相关技艺中,由于该激光束的该螺旋轨迹是首先由CAD生成,且该轨迹的该数字信息被提供至该激光束辐射装置的一控制器,故任何时候只要被制造的该半导体封装的种类发生变化, 皆需要重复该螺旋轨迹生成。因此,由于该螺旋轨迹生成花费大量时间,故生产率低下。
技术实现思路
技术问题为解决此等问题,本专利技术的一目标是提供一种利用该激光束生成用于形成一通孔的激光束辐射轨迹的方法,通过该方法,在诸如该叠层封装型(PoP)的该半导体封装的制造制程中,为在该半导体封装的一模具部分内形成一通孔,其能快速而容易地生成一激光束辐射轨迹。技术解决方案为实现此等目标与其他优点,且根据本专利技术的该目的,如此处的具体与概括性描述,利用一半导体封装制造机一其沿着一螺旋轨迹辐射一激光束至一半导体封装的模具部分用以形成一通孔一生成一激光束辐射轨迹的方法,该方法包括这些步骤自一激光束辐射装置的一控制器内储存的多个螺旋轨迹图样类型中选择一图样类型;通过输入与所选该螺旋轨迹图样有关的信息而生成一螺旋轨迹;及输入与该螺旋轨迹有关的激光束辐射条件。在本专利技术的另一方面中,用一半导体封装制造机一其沿着一螺旋轨迹辐射一激光束至一半导体封装的模具部分用以形成一通孔一生成一激光束辐射轨迹的方法,该方法包括这些步骤输入与一分段式螺旋图样类型有关的信息用以形成该螺旋轨迹,该分段式螺旋图样类型形成的该螺旋轨迹间距G从一段至另一段各不相同;及输入激光束辐射条件。有利效果本专利技术具有如下有利效果。由于操作者可选择该激光束螺旋轨迹图样且能输入与该螺旋图样有关的信息及该激光束辐射条件,故使得该螺旋图样的生成与该通孔的形成能自动实现,即使制造时该半导体封装的尺寸与种类可能变化,该操作者也能快速而精确地生成该螺旋图样,因此而提高生产率与处理效率。附图说明图1与图2说明关键部分的若干段,每一显示形成一通孔的制程,该通孔是在一通常的叠层封装型半导体封装制造制程中通过使一激光束指向一半导体封装的一模具部分而形成。图3说明一流程图,其显示根据本专利技术的一优选具体实施例为制造一半导体封装生成一激光束辐射轨迹的一方法的这些步骤。图4说明图3中用于生成一激光束辐射轨迹的该方法中以等间距螺旋模态生成的等间距螺旋轨迹图样,其中图4A与4B说明各自无轮廓连接轨迹的一逆时针方向与一顺时针方向等间距螺旋轨迹图样,而图4C与4D说明各自有轮廓连接轨迹的一逆时针方向与一顺时针方向等间距螺旋轨迹图样。图5说明渐增型螺旋轨迹图样的实例,其是通过图3中用于生成一激光束辐射轨迹的一方法中的一渐进式螺旋模态而生成。图6说明渐减型螺旋轨迹图样的实例,其是通过图3中用于生成一激光束辐射轨迹的一方法中的一渐进式螺旋模态而生成。图7说明分段式螺旋轨迹图样的实例,其是通过图3中用于生成一激光束辐射轨迹的一方法中的一分段式螺旋模态而生成。图8说明一流程图,其显示根据本专利技术的另一优选具体实施例制造一半导体封装而生成一激光束辐射轨迹的一方法的这些步骤。图9说明分段式螺旋轨迹图样的其他实例,其是通过图8中用于生成一激光束辐射轨迹的一方法生成。*主要元件符号说明*10:半导体封装11:模具部分12 焊球垫13 通孔20:激光束辐射装置G:间距Is:最内部轨迹的直径Os:最外部轨迹的直径OL 轮廓连接轨迹Gmax 最大间距Gmin 最小间距具体实施例方式现将详细参照本专利技术的这些特定具体实施例,这些特定具体实施例的实例说明于这些附图中。任何可能之处,这些相同的元件符号在这些所有图式中皆指这些相同或相似的部分。仅供参考,尽管以下描述涉及根据本专利技术的一方法一该方法是在一叠层封装 (PoP ;Package on Package)型半导体封装制造制程中生成用于形成一通孔的一激光束辐射轨迹,该通孔使得一焊球垫自一下半导体封装的模具部分曝露一的具体实施例,但本专利技术并不局限于此,而是可以相同或相似的方式应用于所有半导体封装制造制程,即在每一这些半导体封装制造制程中激光束沿着一螺旋轨迹辐射而用以形成一预定形式。图3说明一流程图,该流程图显示一方法的这些步骤,该方法是根据本专利技术的一优选具体实施例生成用于制造一半导体封装的激光束辐射轨迹,该方法包括步骤于一激光束辐射装置的一控制器内储存的多个螺旋轨迹图样中选择一图样;通过输入与所选该螺旋轨迹图样有关的信息而生成一螺旋轨迹;及输入与生成的该螺旋轨迹有关的激光束辐射条件。随后将详细描述各步骤。在该辐射该激光束的该激光束辐射装置的该控制器中,储存有具有多个用于生成一激光束螺旋轨迹的螺旋图样程序。该控制器中储存的该螺旋轨迹图样包括等间距型图样,在每一这些图样中,如图 4所示,自一内部端始,至一外部端止,该螺旋轨迹的固定间距G维持不变;渐增/减型螺旋轨迹图样,在每一这些图样中,如图5或6本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法,使一半导体封装制造机沿着一螺旋轨迹辐射一激光束至所述半导体封装的一模具部分用以形成一通孔,所述方法包括以下步骤:(a)于一激光束辐射装置的一控制器内储存的多个螺旋轨迹图样类型中选择一图样类型;(b)通过输入与所选的螺旋轨迹图样相关的信息而生成一螺旋轨迹;及(c)输入与所述螺旋轨迹有关的激光束辐射条件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:许一
申请(专利权)人:韩美半导体株式会社
类型:发明
国别省市:KR

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