【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池和制造太阳能电池的方法、以及形成太阳能电池的杂质区的方法。
技术介绍
近来，由于预见到现有能源(如石油和煤)是会被耗尽的，因此对于代替现有能源的另选能源越来越感兴趣。在这些另选能源中，从太阳能产生电能的太阳能电池尤其受到关注。硅太阳能电池一般包括各自由半导体形成的基板和射极区、以及分别在基板和射极区上形成的多个电极。形成基板和射极区的半导体具有不同的导电类型，诸如P型和η型。 在基板和射极区之间的界面处形成ρ-η结。当光入射在太阳能电池上时，在半导体中产生多个电子-空穴对。通过光伏效应而使得电子-空穴对分离为电子和空穴。因而，分离出的电子移动到η型半导体(如，射极区)，并且分离出的空穴移动到P型半导体(如，基板)，电子和空穴分别由电连接到射极区的电极和电连接到基板的电极收集。使用电线将电极彼此连接以由此获得电能。
技术实现思路
技术问题本专利技术的实施方式提供能够提高效率的太阳能电池及其制造方法。对问题的解决方案根据本专利技术的一方面，一种用于形成太阳能电池的杂质区的方法可以包括以下步骤在第一导电类型的基板上形成包含杂质的杂质层；并且通过在所...
【技术保护点】
１．一种形成太阳能电池的杂质区的方法，该方法包括以下步骤：在第一导电类型的基板上形成包含杂质的杂质层；以及通过在所述杂质层上照射激光束，使得所述杂质扩散到所述基板中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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