太阳电池窗口层材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及太阳电池窗口层材料及其制备方法和应用。所述太阳电池窗口层材料包括高电导率层和宽带隙层。本发明专利技术还提供含有上述窗口层材料的复合结构和太阳电池。本发明专利技术的窗口层材料的高电导率层与N型TCO薄膜之间容易形成欧姆接触，所以接触良好，并且兼具高透过率和宽带隙，因此能够提高太阳电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池，尤其涉及太阳电池窗口层材料及其制备方法和应用。
技术介绍
作为太阳电池的窗口层材料，要求高透过率、高电导率和宽带隙。目前的太阳电池 通常采用P_SiC:H作为窗口层材料与N型透明导电薄膜直接接触。由于P-SiC = H电导率不 是很大，当P-SiC = H和透明导电薄膜之间的势垒相差较大时不能形成欧姆接触，从而影响 电池的填充因子和开路电压，进而影响电池的光电转换效率。因此，为了提高太阳电池的光 电转换效率，必须改善N型透明导电薄膜与窗口层材料之间的接触。
技术实现思路
为了改善N型透明导电薄膜与窗口层材料之间的接触，本专利技术提供一种太阳电池 的窗口层材料，具体方案如下。一种太阳电池窗口层材料，包括电导率大于等于0. 15SCHT1 (西门子每厘米)的高 电导率层和带隙大于等于1.8ev(电子伏特)的宽带隙层。所述高电导率层的材料可以为微晶硅、纳米硅或多晶硅。厚度为1-5. 9nm。所述宽带隙层的材料可以为非晶硅或非晶碳化硅。厚度为l-50nm。本专利技术还提供二种复合结构。一种是在衬底上依次设置透明导电薄膜和上述太阳 电池窗口层材料，并且高电导率层处于透明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳电池窗口层材料，其特征在于，包括电导率大于等于０．１５ｓｃｍ↑［－１］的高电导率层和带隙大于等于１．８ｅｖ的宽带隙层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谷士斌，雷志芳，孙书龙，王锐，赵鑫，陈光羽，唐茜，李立伟，郭铁，孟原，周德领，
申请(专利权)人：新奥光伏能源有限公司，
类型：发明
国别省市：13