等离子体处理装置制造方法及图纸

该等离子体处理装置包括：处理室（１０１），由具有侧壁（３４）的腔室（２）、电极法兰（４）、和被所述腔室（２）与所述电极法兰（４）夹着的绝缘法兰（８１）形成，并具有反应室（２ａ）；支撑部（１５），收容于所述反应室（２ａ）内，载置有具有处理面（１０ａ）的基板（１０）；搬出搬入部（３６），设置于所述腔室（２）的所述侧壁（３４）；ＲＦ电源（９），与所述电极法兰（４）连接，并施加高频电压；第一阀门（５５），设置于所述搬出搬入部（３６），并开闭所述搬出搬入部（３６）；以及第二阀门（５６），与所述腔室（２）电连接，并具有与所述腔室（２）的内侧面（３３）位于同一平面上的面部（５６ａ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置。本申请基于2009年1月9日申请的特愿2009-004025号主张优先权，在此援用其内容。
技术介绍
一直以来，已知一种使用等离子体来分解原料气体，例如，在基板的被成膜面上形成薄膜的等离子体处理装置。在该等离子体处理装置中，例如，如图7所示，处理室301由腔室303、电极法兰304、以及被腔室303和电极法兰304夹着的绝缘法兰302形成，以具有成膜空间(反应室)305。在处理室301内，设置有具有与电极法兰连接的多个喷出口的簇射极板306、以及配置有基板307的加热器308。在簇射极板306和电极法兰304之间形成的空间309是导入原料气体的气体导入空间。即，簇射极板30把处理室301内划分为在基板307上形成膜的成膜空间305、以及气体导入空间(空间309)。在加热器308上连接有接地板310的一端。接地板310的另一端与腔室303的内底面附近电连接。腔室303连接于接地电位。据此，加热器308作为阳极电极来发挥作用。 另一方面，在电极法兰304上连接有高频电源311。电极法兰304和簇射极板306作为阴极电极来发挥作用。在电极法兰304的周围，例如设置有以覆盖电极法兰304的方式形成且连接于腔室303的防护盖312等。在这种结构下，被导入到气体导入空间的气体从簇射极板306的各喷出口均勻地喷出到成膜空间。此时，启动高频电源来向电极法兰304施加高频电压，使成膜空间内产生等离子体。而后，由等离子体分解的原料气体到达基板的被成膜面，从而形成所希望的膜。如图7的箭头所示，当向电极法兰304施加高频电压来产生等离子体时，伴随着等离子体的产生而流动的电流将按照簇射极板306、加热器308、以及接地板310的顺序传递。 而且，该电流被传递到腔室303的内侧面以及防护盖312，并返回到电极法兰304。伴随等离子体的产生而形成的电流通过这种电流路径来流动(例如，参考专利文献1)。专利文献1 日本特开2008-244079号公报。然而，如图8所示，在腔室303的侧壁，多设置有为了将基板307搬出或者搬入腔室303内而使用的搬出搬入部313，以及开闭该搬出搬入部313的阀门314。在这种情况下，流过形成有搬出搬入部313的腔室303的内侧面的高频电流的路径比流过未形成搬出搬入部313的腔室303的内侧面的高频电流的路径更长。由此，在流过形成有搬出搬入部313的内侧面的高频电流的路径中，电感增大。特别是，当基板307的尺寸变得大型化时，由于需要增大高频电压，因此有可能在搬出搬入部313的附近产生异常放电。为此，有产生因异常放电而引起的阻抗失配，且能够施加到电极法兰304的高频电压降低这样的问题存在。所以，有鉴于此，本专利技术提供一种能够防止搬出搬入部中的异常放电、增大能够施加的高频电压的等离子体处理装置。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的等离子体处理装置包括处理室，由具有侧壁的腔室、电极法兰、和被所述腔室与所述电极法兰夹着的绝缘法兰形成，并具有反应室；支撑部， 收容于所述反应室内，载置有具有处理面的基板，并控制所述基板的温度；搬出搬入部，设置于所述腔室的所述侧壁，用于把所述基板搬出或者搬入所述反应室；RF电源，与所述电极法兰连接，并施加高频电压；第一阀门，设置于所述搬出搬入部，并开闭所述搬出搬入部； 以及第二阀门，与所述腔室电连接，并具有与所述腔室的内侧面位于同一平面上的面部。在这种结构中，作为搬出搬入部中的返回电流的路径，能够使第二阀门的面部上流过电流。因此，能够使搬出搬入部附近的电感降低。而且，通过设置第二阀门，能够封闭被第一阀门和搬出搬入部包围的放电空间。因此，在产生等离子体时，能够防止搬出搬入部中的异常放电，能增大能够施加到电极法兰的高频电压。优选地，在本专利技术的等离子体处理装置中，所述第二阀门具有端部，所述端部设置有具有导电性的弹性部件。在这种结构中，第二阀门和腔室电连接，作为返回电流的路径，能够使第二阀门和腔室之间流过电流。而且，当关闭第二阀门时，能够防止端部和搬出搬入部碰撞。因此，能够防止第二阀门或者腔室的损伤，从而能够延长部件寿命。优选地，在本专利技术的等离子体处理装置中，在所述第二阀门和所述腔室之间设置有间隙，所述第二阀门和所述腔室电连接。在该结构中，例如在第二阀门和腔室之间设置有Imm以下的极小的间隙。而且，当施加高频电压时，作为返回电流的路径，端部通过电容耦合与搬出搬入部电连接。在这种结构中，由于第二阀门的端部和搬出搬入部并不接触，因此能够防止尘埃等堆积在端部和搬出搬入部之间。优选地，在本专利技术的等离子体处理装置中包括簇射极板，所述簇射极板收容于所述反应室内，以与所述处理面对置的方式配置，并向所述基板提供工艺气体。在该结构中，由簇射极板提供工艺气体，由RF电源提供高频电压，从而能够得到等离子体状态的工艺气体，在基板的处理面上产生气相沉积反应，在处理面上形成薄膜。根据本专利技术，作为搬出搬入部中的返回电流的路径，能够使第二阀门的面部上流过电流。因此，能够使搬出搬入部附近的电感降低。而且，通过设置第二阀门，能够封闭被第一阀门和搬出搬入部包围的放电空间。因此，在产生等离子体时，能够防止搬出搬入部内的异常放电，能增大能够施加到电极法兰的高频电压。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式中的等离子体处理装置的结构的概要剖视图。图2是示出本专利技术的实施方式中的等离子体处理装置的结构的概要剖视图，且是放大表示在图1中由符号A所示的部分的剖视图。图3是用于说明本专利技术的实施方式中的第一阀门和第二阀门的动作的图。图4是示出本专利技术的实施例中的等离子体处理装置的运转条件的图。4图5是示出本专利技术的实施例中的等离子体处理装置与现有的等离子体处理装置关于能够施加的高频电压的大小的比较结果的图。图6是示出本专利技术的实施方式的变形例中的第二阀门的结构的概要剖视图。图7是示出现有的等离子体处理装置的结构的概要剖视图。图8是示出在现有的等离子体处理装置中返回电流的流动的图。具体实施例方式下面，根据附图对本专利技术所涉及的等离子体处理装置的实施方式进行说明。另外，在以下说明所使用的各附图中，为了将各结构要素设为能够在附图上识别的程度的大小，适当地使各结构要素的尺寸和比率与实际有所不同。另外，在本实施方式中，对使用等离子体化学气相沉积(CVD)法的成膜装置进行说明。图1是示出本实施方式中的等离子体处理装置1的结构的概要剖视图。如图1所示，实施等离子体CVD法的等离子体处理装置1包括处理室101，该处理室101具有作为反应室的成膜空间加。处理室101由真空腔室2 (腔室)、电极法兰4、以及被真空腔室2和电极法兰4夹着的绝缘法兰81形成。在真空腔室2的底部11 (内底面)上形成有开口部。在该开口部插通有支柱25， 支柱25配置在真空腔室2的下部。在支柱25的前端(真空腔室2内)连接有板状的加热器15(支撑部)。另外，在真空腔室2上连接有排气管27。在排气管27的前端设置有真空泵观。真空泵观进行减压以使真空腔室2内变为真空状态。另外，支柱25与设置在真空腔室2外部的升降机构(未图示)连接，在基板10的垂直方向上能够上下移动。也就是，连接于支柱25前端的加热器15被构成为能够沿上下方向升降。另外，在真空腔室2的外部设置有波纹本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，由具有侧壁的腔室、电极法兰、和被所述腔室与所述电极法兰夹着的绝缘法兰形成，并具有反应室；支撑部，收容于所述反应室内，载置有具有处理面的基板，并控制所述基板的温度；搬出搬入部，设置于所述腔室的所述侧壁，用于把所述基板搬出或者搬入所述反应室；ＲＦ电源，与所述电极法兰连接，并施加高频电压；第一阀门，设置于所述搬出搬入部，并开闭所述搬出搬入部；以及第二阀门，与所述腔室电连接，并具有与所述腔室的内侧面位于同一平面上的面部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：若松贞次，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP