马铃薯茎尖脱毒育种方法及双层培养基技术

马铃薯茎尖脱毒育种方法及双层培养基，以提高效率，并降低污染率，其特征在于，利用双层培养基植入马铃薯茎尖后一次性成苗出试管薯，省却成苗后的移栽培养步骤；所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层，所述培养基底层为制备好的诱导培养基，所述培养基上层为制备好的组织培养基；所述马铃薯茎尖植入在组织培养基中成苗；待苗长成后直接进入暗光培养，在所述诱导培养基中出试管薯。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及脱毒育种技术及固态组培基质技术，特别是一种马铃薯茎尖脱毒育种方法及双层培养基。
技术介绍
采用培养基进行马铃薯茎尖脱毒育种是国内国际应用的先进技术。现有培养基技术分成两大部分即组织培养和试管薯诱导出薯两部分，使用两种培养基，先用组织培养基培养苗，苗长成后再加入诱导培养基。暗光培养。这种技术污染率高，损失大，所以国内国际均未大规模使用。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种马铃薯茎尖脱毒育种方法及双层培养基，以提高效率，并降低污染率。本专利技术的技术方案如下马铃薯茎尖脱毒育种方法，其特征在于，利用双层培养基植入马铃薯茎尖后一次性成苗出试管薯，省却成苗后的移栽培养步骤；所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层，所述培养基底层为制备好的诱导培养基，所述培养基上层为制备好的组织培养基；所述马铃薯茎尖植入在组织培养基中成苗；待苗长成后直接进入暗光培养，在所述诱导培养基中出试管薯。所述待苗长成后直接进入暗光培养是指当苗长成至预设的一定高度后直接进入暗光培养。所述双层培养基中每一层都是固态培养基。所述双层培养基被设置在培养容器内，在培养容器内先装入制备好的诱导培养基形成一个培养基底层，然后装入制备好的组织培养基形成一个培养基上层。一种双层培养基，其特征在于，所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层，所述培养基底层为制备好的诱导培养基，所述培养基上层为制备好的组织培养基。利用培养容器制备双层培养基的方法，其特征在于，将组织培养基和诱导培养基分别制备，先将诱导培养基装入培养容器灭菌，将灭菌的诱导培养基在无菌室内降温至凝固成固态；再将组织培养基放入生物反应器内灭菌，待灭菌基质降至一定温度时，在无菌操作条件下将组织培养基放入装有诱导培养基的容器中，待组织培养基降至常温时，即得双层培养基。所述在无菌室内降温至凝固成固态是指在无菌室内降温至15°C或以下。所述待灭菌基质降至一定温度，是指待灭菌基质降至50°C或以下。所述常温是指20 25°C。本专利技术的技术效果如下该项技术实施后，可以降低污染10%以上，同时节省劳动力20%左右，试管薯结薯率提高20%左右，试管薯均重提高50%左右。该项技术实施后，以全国马铃薯7000万亩计算，可以节省土地面积600万亩左右。具体实施例方式马铃薯茎尖脱毒育种是国内国际应用的先进技术，现有培养基技术分成两大部分即组织培养和试管薯诱导出薯两部分，使用两种培养基，先用组织培养基培养苗，苗长成后再加入诱导培养基。暗光培养。这种技术污染率高，损失大，所以国内国际均未大规模使用。本项目专利技术使用双层培养基技术，解决了现有的问题。具体办法如下将组织培养基和诱导培养基分别制备，先将诱导培养基装入培养容器灭菌，将灭菌的培养基在无菌室内降温到15°C凝固成固态，再将组织培养基放入生物反应器内灭菌，待灭菌基质降至50°C时，在无菌操作条件下将组织培养基分别放入装有诱导培养基的容器中，待培养基降至常温O0-25°C )，即可接入苗，苗在规定的温度、光照、温度条件下长成至所需高度，直接进入暗光培养，即可出试管薯。该项技术实施后，可以降低污染10%以上，同时节省劳动力20%，试管薯结薯率提高20%，试管薯均重提高50%。该项技术实施后，以全国马铃薯7000万亩计算，可以节省土地面积600万亩。本专利技术属于脱毒育种中的MS双层固态组培基质设计方案。MS培养基中的MS是培养基专利技术人穆拉希吉克(Murashige，Τ.)和斯科克(Skoog，F.)的缩写。MS培养基其特点是无机盐和离子浓度较高，是较稳定的离子平衡溶液，它的硝酸盐含量高，其养分的数量和比例合适，能满足植物细胞的营养和生理需要，因而适用范围比较广，多数植物组织培养快速繁殖用它作为培养基的基本培养基。MS固体培养基可用于诱导愈伤组织，也可用于胚、茎段、茎尖及花药的培养，其液体培养基用于细胞悬浮培养时能获得明显的成功。本领域技术人员能够参照或参考中华人民共和国农业部发布的农业行业标准， NY/T1212-2006，马铃薯脱毒种薯繁育技术规程，进一步了解本专利技术相关技术概念。马铃薯茎尖脱毒育种方法，其特征在于，利用双层培养基植入马铃薯茎尖后一次性成苗出试管薯，省却成苗后的移栽培养步骤；所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层，所述培养基底层为制备好的诱导培养基，所述培养基上层为制备好的组织培养基；所述马铃薯茎尖植入在组织培养基中成苗；待苗长成后直接进入暗光培养，在所述诱导培养基中出试管薯。所述待苗长成后直接进入暗光培养是指当苗长成至预设的一定高度后直接进入暗光培养。所述双层培养基中每一层都是固态培养基。所述双层培养基被设置在培养容器内，在培养容器内先装入制备好的诱导培养基形成一个培养基底层，然后装入制备好的组织培养基形成一个培养基上层。一种双层培养基，其特征在于，所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层，所述培养基底层为制备好的诱导培养基，所述培养基上层为制备好的组织培养基。利用培养容器制备双层培养基的方法，其特征在于，将组织培养基和诱导培养基分别制备，先将诱导培养基装入培养容器灭菌，将灭菌的诱导培养基在无菌室内降温至凝固成固态；再将组织培养基放入生物反应器内灭菌，待灭菌基质降至一定温度时，在无菌操作条件下将组织培养基放入装有诱导培养基的容器中，待组织培养基降至常温时，即得双层培养基。所述在无菌室内降温至凝固成固态是指在无菌室内降温至15°C或以下。所述待灭菌基质降至一定温度，是指待灭菌基质降至50°C或以下。所述常温是指20 25°C。 在此指明，以上叙述有助于本领域技术人员理解本专利技术创造，但并非限制本专利技术创造的保护范围。任何没有脱离本专利技术创造实质内容的对以上叙述的等同替换、修饰改进和/或删繁从简而进行的实施，均落入本专利技术创造的保护范围。权利要求1.马铃薯茎尖脱毒育种方法，其特征在于，利用双层培养基植入马铃薯茎尖后一次性成苗出试管薯，省却成苗后的移栽培养步骤；所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层，所述培养基底层为制备好的诱导培养基，所述培养基上层为制备好的组织培养基；所述马铃薯茎尖植入在组织培养基中成苗；待苗长成后直接进入暗光培养，在所述诱导培养基中出试管薯。2.根据权利要求1所述的马铃薯茎尖脱毒育种方法，其特征在于，所述待苗长成后直接进入暗光培养是指当苗长成至预设的一定高度后直接进入暗光培养。3.根据权利要求1所述的马铃薯茎尖脱毒育种方法，其特征在于，所述双层培养基中每一层都是固态培养基。4.根据权利要求1所述的马铃薯茎尖脱毒育种方法，其特征在于，所述双层培养基被设置在培养容器内，在培养容器内先装入制备好的诱导培养基形成一个培养基底层，然后装入制备好的组织培养基形成一个培养基上层。5.一种双层培养基，其特征在于，所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层，所述培养基底层为制备好的诱导培养基，所述培养基上层为制备好的组织培养基。6.利用培养容器制备双层培养基的方法，其特征在于，将组织培养基和诱导培养基分别制备，先将诱导培养基装入培养容器灭菌，将灭菌的诱导培养基在无菌本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．马铃薯茎尖脱毒育种方法，其特征在于，利用双层培养基植入马铃薯茎尖后一次性成苗出试管薯，省却成苗后的移栽培养步骤；所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层，所述培养基底层为制备好的诱导培养基，所述培养基上层为制备好的组织培养基；所述马铃薯茎尖植入在组织培养基中成苗；待苗长成后直接进入暗光培养，在所述诱导培养基中出试管薯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚雄，
申请(专利权)人：金色种业有限公司，
类型：发明
国别省市：11