集成霍尔器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种集成霍尔器件。该集成霍尔器件包括：N型外延层；在所述N型外延层上形成的霍尔平面；从所述霍尔平面上引出的用金属淀积方法形成的端子；和在所述霍尔平面周围形成的隔离环，该隔离环和干净的电源或地连接。本实用新型专利技术有更高的霍尔系数和更小的失调电压。兼容BCD工艺可将霍尔器件、功率管和信号处理电路等集成在一起，制作功耗更小、耐压更高、集成度更高的磁场检测芯片。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及霍尔器件，具体地说，涉及单片集成的新型霍尔器件。
技术介绍
霍尔器件是一种磁传感器，能够检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。公布号为US20050042814A1的美国专利申请提出基于铟镓砷特殊材料制作HALL 器件的方法，使用这种材料制作的HALL器件灵敏度高，但不能使用标准集成工艺实现；公布号为US20060108654A1的美国专利申请提出了一种在P型掺杂和N型掺杂区域交替制作的HALL器件，制作方法简单，能兼容标准bipolar工艺制作步骤；专利号为US5627398的美国专利提出了一种CMOS集成电路中制作霍尔传感器的方法，将霍尔器件集成在N型阱电阻上。由于CMOS工艺具有功耗低、集成度高的优点，目前霍尔集成器件大部分都使用CMOS集成工艺制作，但是由于CMOS工艺自身缺陷，制作的霍尔器件失调较大、灵敏度较低。目前集成霍尔器件主要采用特殊的材料、bipolar工艺或CMOS工艺制作。特殊材料如铟镓砷等制作的霍尔器件，灵敏度高，但是不能通过标准集成工艺实现，因此制造成本高；bipolar工艺制作的霍尔器件，灵敏度较高，但是功耗高、失调大，一致性较差本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种集成霍尔器件，其特征在于，包括：Ｎ型外延层；在所述Ｎ型外延层上形成的霍尔平面；从所述霍尔平面上引出的用金属淀积方法形成的端子；和在所述霍尔平面周围形成的隔离环，该隔离环和干净的电源或地连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾晓钦，黄颖，彭卓，徐敏，陈忠志，
申请(专利权)人：上海腾怡半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31