温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供一种集成霍尔器件。该集成霍尔器件包括：N型外延层；在所述N型外延层上形成的霍尔平面；从所述霍尔平面上引出的用金属淀积方法形成的端子；和在所述霍尔平面周围形成的隔离环，该隔离环和干净的电源或地连接。本实用新型有更高的霍尔系数和更...
该专利属于上海腾怡半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海腾怡半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。