【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制备工艺，特别是涉及离子注入型砷化镓半导体霍尔器件的制备工艺方法。
技术介绍
离子注入型砷化镓霍尔器件作为一种高性能传感器件具有十分广阔的应用前景。随着微电子技术的发展，对半导体霍尔器件小型化提出越来越高的要求。霍尔器件在使用时常常会遇到来自于外电路的瞬间高脉冲电压的冲击，特别是在电源突然启动或关闭时，容易造成器件被击穿损坏，尤其是当霍尔器件小型化以后，器件被击穿的现象更容易发生，使器件的可靠性下降。产生击穿的机理是由于砷化镓材料固有的特性，在电场下存在有大量的电子/空穴畴，当局部电场强度超过临界值时，将发生畴雪崩效应，出现电击穿。附图1是常规工艺制备的砷化镓霍尔器件电极部位的示意图，一般电极与有源区的界面正好在器件宽度发生变化的位置。研究发现，在两者相交的界面区域内最容易发生电击穿现象，因此判断该区域是容易产生电场强度超过临界值而发生击穿的最薄弱环节。解决方法可以通过改变该区域离子浓度形成浓度梯度过渡区域来提高抗击穿能力，但是在工艺上很难实现。
技术实现思路
本专利技术的目的就是要提供一种能够提高砷化镓霍尔器件抗脉冲电压的制备工艺方法，使霍尔器件既满足小型化的要求又能够耐受由于外电路突发产生的高脉冲电压的冲击。本专利技术所公开的制备工艺方法是用通过改变霍尔器件的图形，有限加宽电极与有源区的接触面积，使在其相互接触的区域形成过渡区，使有源器件在该过渡区域的宽度逐渐改变，从而避免该区域容易发生击穿的缺陷。从计算机模拟分析知道，砷化镓霍尔器件可以看作是一个Gunn器件，在高脉冲下会形成畴，畴是由积累层和耗尽层形成的，电压主要降低在耗尽层...
【技术保护点】
一种抗静电脉冲电压的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，其特征在于：采用特别的电极图形，使电极与有源区的界面不在宽度发生变化的位置，而是向电极方向扩展构成一个过渡区，使有源器件在该过渡区域的宽度逐渐改变。
【技术特征摘要】
1.一种抗静电脉冲电压的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺方法，其特征在于采用特别的电极图形，使电极与有源区的界面不在宽度发生变化的位置，而是...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑一阳，韩海，景士平，梁平，
申请(专利权)人：北京华源科半光电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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