靶材和内磁极制造技术

一种靶材，用于CPA型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；所述主体结构厚度为9～13mm，所述第二外结构厚度为6～9mm。这种靶材通过改变主体结构和第二外结构的厚度，使得靶材整体厚度降低，且厚度均匀，不易被过早击穿。同时公开了一种内磁极，用于CPA型溅射设备，所述内磁极与上述靶材适配，所述内磁极厚度为9～13mm，所述内磁极导磁率为3000～4000μ0。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

靶材和内磁极
本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种适用于CPA型溅射设备的靶材和内磁极。
技术介绍
传统的靶材通过内磁极和压条间接固定在CPA型溅射设备基座上，由于内磁极高度较高，导致靶材整体厚度大8mm)，但是厚度不均勻，靶材容易过早被击穿。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种不易过早被击穿的靶材以及与所述靶材适配的内磁极。一种靶材，用于CPA型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；所述主体结构厚度为9 13mm，所述第二外结构厚度为6 9mm。优选的，所述主体结构厚度为12mm，所述第二外结构厚度为8mm。一种内磁极，用于CPA型溅射设备，所述内磁极与上述靶材适配，所述内磁极厚度为9 13mm，所述内磁极导磁率为3000 4000 μ。。一种内磁极，用于CPA型溅射设备，所述内磁极与上述靶材适配，所述内磁极厚度为12mm，所述内磁极导磁率为3000 4000 μ。。这种靶材通过改变主体结构和第二外结构的厚度，使得靶材整体厚度降低，且厚度均勻，不易被过早击穿本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种靶材，用于ＣＰＡ型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；其特征在于，所述主体结构厚度为９～１３ｍｍ，所述第二外结构厚度为６～９ｍｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方雪冰，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94