【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种阴极弧金属离子源，尤其涉及一种用于阴极弧金属离子源的屏蔽直O
技术介绍
使用真空阴极弧离子源是产生金属离子的主要方法之一，它可以在真空环境下使阴极靶材蒸发并离化形成等离子体，蒸发出来的靶材离化率大于80%。在阴极弧离子源的阴极靶材上施加负电压，通过引弧装置激发靶材表面弧光放电形成阴极弧斑。面积很小(< Imm2)的阴极弧斑内，局域施加的功率很大(3KW)，使阴极弧斑处形成局域高温(> 6000°C )，阴极材料被蒸发并离化成金属离子，在真空中遇到工件表面发生凝结，形成薄膜或涂层，这种现象可以用来对工件表面进行离子束表面改性或真空镀膜表面处理，用来增强工件表面的防腐、耐磨等特殊性质。为了使阴极弧离子源长期稳定工作，一般阴极弧离子源装置要施加磁场对阴极弧斑的运动进行约束或控制，达到以下几个目的，第一、使阴极弧斑的快速运动以有效降低阴极弧斑附近的持续高温，避免靶材喷溅和整体熔化；第二、利用磁场约束电子的扩散，增加等离子体的密度，提高靶材蒸发离化率；第三、避免阴极弧斑运动至非蒸发区域，造成离子源部件的放电损坏。传统阴极弧离子源主要由磁路、冷...
【技术保护点】
１．一种用于阴极弧离子源的屏蔽装置，所述阴极弧离子源包括靶材、位于靶材下方并在靶材上方产生磁场的磁场组件、以及密封地与靶材相连并封围住所述磁场组件的离子源体，其特征在于，所述屏蔽装置包括绕靶材边缘布置且与靶材边缘相隔开的边缘屏蔽件以及位于靶材中心上方且相对于边缘屏蔽件居中地定位的中心屏蔽件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨会生，
申请(专利权)人：北京镨玛泰克真空科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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