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一种用于阴极弧离子源的屏蔽装置,所述阴极弧离子源包括靶材、位于靶材下方并在靶材上方产生磁场的磁场组件、以及密封地与靶材相连并封围住所述磁场组件的离子源体,其中,所述屏蔽装置包括绕靶材边缘布置且与靶材边缘相隔开的边缘屏蔽件以及位于靶材中心上方...该专利属于北京镨玛泰克真空科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京镨玛泰克真空科技有限公司授权不得商用。
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一种用于阴极弧离子源的屏蔽装置,所述阴极弧离子源包括靶材、位于靶材下方并在靶材上方产生磁场的磁场组件、以及密封地与靶材相连并封围住所述磁场组件的离子源体,其中,所述屏蔽装置包括绕靶材边缘布置且与靶材边缘相隔开的边缘屏蔽件以及位于靶材中心上方...