【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１． 金刚石线切割硅晶片的清洗方法，其特征在于：先将硅晶片放入超声波清洗机中脱胶，再将硅晶片放入３０－５０℃的纯水中使用超声波进行清洗，然后将硅晶片放入加有乳酸且温度为６０－８０℃的的纯水槽中清洗并去除硅晶片表面残胶，而后将硅晶片放入插片机进行插片，再将硅晶片放入纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为４０－６０℃的硅片清洗剂、氢氧化钠和水的混合液中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为２０－３０℃的纯水中用超声波清洗，再将硅晶片放入温度为１００－１４０℃的甩干机中甩干。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：于景，俞建业，曾斌，叶平，欧阳思周，汤玮，胡凯，
申请(专利权)人：江西金葵能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：36
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