一种自举型门极驱动控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种自举型门极驱动控制电路。本实用新型专利技术的自举型门极驱动控制电路由自举型门极驱动电路、信号调制电路、驱动控制电路构成。工作时，信号调制电路首先对电流或者电压进行采样调制，然后输出调制信号给驱动控制电路，驱动控制电路根据调制信号使能或者关断上位管的门极驱动，并且不影响下位管工作。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电能变换装置，特别涉及一种应用于同步整流电路的自举型门极驱动控制电路。
技术介绍
目前整流方案有两种类型，一种是二极管整流，另一种是同步整流。二极管整流通过二极管导通，同步整流使用门极驱动信号控制同步整流管的开通和关断，同步整流管一般使用M0SFET。在低压大电流场合，二极管正向压降一般无法进一步减小，故损耗较大； 同步整流管的导通电阻较小，从而损耗较小。因此使用同步整流管功耗较小，从而具有更高的转换效率。同步整流管在工作区间有导通损耗、驱动损耗、开关损耗、体内二极管损耗，在重载时，负载电流较大，由此造成的导通损耗占很大一部分。轻载时，负载电流小，由同步整流管开通和关断造成的开关损耗、驱动损耗居于主导地位。同步整流相对于二极管节约的能量很少，甚至高于二极管损耗，在这种情况下需要停止同步整流，利用体二极管进行二极管整流。而且体二极管可以切断轻载时的负向无功电流通路，电感损耗和驱动损耗将显著减小，轻载效率会得到明显提升。N沟道MOSFET开关管的导通条件是门极电压比源极电压高，当整流管为上位管时，一般采用自举电路为它提供驱动电压。图1为一已有技术中的自举型门极驱动电路，上位管和下位管公用一个脉宽调制波发生模块，于是不能通过关断脉宽调制波的方法关断上位管。因而需要有一种自举型门极驱动控制电路，在轻载时关断上位管的驱动输出，停止同步整流利用体二极管进行二极管整流，提高轻载时变换器的工作效率，同时不影响下位管的工作状态。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种自举型门极驱动控制电路。本技术的自举型门极驱动控制电路包括一信号调制电路、一驱动控制电路、一自举型门极驱动电路，其连接方式为所述信号调制电路的输出端与所述驱动控制电路的输入端相连，所述驱动控制电路的输出端与所述自举型门极驱动电路的输入端相连，所述信号调制电路接受电信号，并根据此输出调制信号，所述驱动控制电路，接受所述调制信号，并根据此使能或者关断所述自举型门极驱动电路的上位管驱动。优选的自举型门极驱动控制电路，还包括一具有上位管和下位管的开关管电路， 其中所述上位管和所述下位管串联，所述上位管的门极与所述自举型门极驱动电路的上位管驱动连接，所述下位管的门极与所述自举型门极驱动电路的下位管驱动连接，所述自举电容的一端连接在。优选的信号调制电路包括采样电路和比较判断电路，所述采样电路采样电信号并输出采样值至所述比较判断电路，所述比较判断电路将采样值与参考值比较并输出调制信号至所述驱动控制电路，其中所述电信号是电流或者电压。优选的驱动控制电路包括M0SFET、PNP晶体管、限流电阻，其连接方式为所述 MOSFET的门极接受所述调制信号，所述MOSFET的漏极与所述限流电阻的一端相连，所述限流电阻的另一端与所述PNP晶体管的基极连接，所述MOSFET的源极与电源负极连接，所述 PNP晶体管的发射极和电源正极连接，所述PNP晶体管的集电极与所述自举型门极驱动电路的输入端连接，所述PNP晶体管的集电极作为所述驱动控制电路的输出端。优选的所述MOSFET接受信号调制电路的输出信号，当信号调制电路的输出信号为低电平时，MOSFET关断，使PNP晶体管关断；当信号调制电路的输出信号为高电平时， MOSFET导通，使PNP晶体管导通。优选的所述自举型门极驱动电路包含一自举二极管和一自举电容，所述自举二极管的阳极作为所述自举型门极驱动电路的输入端，与所述PNP晶体管的集电极相连，所述自举二极管的阴极和所述自举电容相连，当所述PNP晶体管导通时，自举电容的充电回路被使能，当PNP晶体管关断时，自举电容的充电回路被关断，自举电容上不能建立偏置电压。优选的所述自举电容充电回路包括所述电源、所述PNP晶体管、所述自举二极管、所述自举电容、所述下位管，其连接方式为所述PNP晶体管的发射极和电源连接，集电极与所述自举二极管的阳极连接，并经自举电容和所述下位管连接。优选的当所述自举电容的充电回路被使能时，自举型门极驱动电路上位管驱动被使能；当所述自举电容的充电回路被关断时，自举型门极驱动电路上位管驱动被关断。本专利技术的有益效果门极驱动控制电路可以根据信号调制电路的输出控制自举型门极驱动电路的上位管驱动电路的使能或者关断，而且不影响下位管的工作状态。附图说明图1现有技术的自举型门极驱动电路；图2本专利技术的自举型门极驱动电路框图；图3本专利技术的自举型门极驱动电路；图4本专利技术驱动控制信号波形图；图5本专利技术的一种应用电路。具体实施方式为便于对本专利技术的实施例进行理解，下面将结合附图以一个具体实施例为例做进一步的解释说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域的技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术根据开关电源高效、可靠和安全的要求，在常用的自举型门极驱动电路中加入了一种关断自举型门极驱动电路上位管门极驱动输出的电路，利用轻载调制电路生成调制信号C32，通过自举型门极驱动控制电路控制驱动电路的输出，从而控制作为同步整流管的上位管开通或关断，使电路工作在同步整流状态或者二极管整流状态。图1为常用的自举驱动电路结构，所述驱动电路包含一电源(VCC)、第一电路 (110)、第二电路(111)、一自举二极管(105)、一自举电容(106)，其连接方式为所述电源 (VCC)与所述第二电路(111)的第一端子耦接，所述第二电路(111)的第二端子与下位管^ 的门极耦接，所述第二电路(111)的第三端子与所述下位管^的源极耦接，所述自举二极管(105)的阳极与电源(VCC)相连，所述自举二极管的阴极和所述自举电容(106)的一端相连，并与所述第二电路(111)的第一端子耦接，所述第一电路(110)的第二端子与所述上位管％的门极耦接，所述第一电路(110)的第三端子和所述上位管％的源极耦接。101和 102为脉宽调制波输入端，分别作为第一电路(110)和第二电路(111)的输入，从而分别控制上位管％和下位管Ql开通和关断的时序。其中所述上位管％的源极和所述下位管Ql的漏极耦接。通常101和102共用一个脉宽调制波发生装置。图中PWM模块输出的脉宽调制波经过level shift模块(113)和logic模块(112)或者仅有level shift模块(113)或者仅有logic模块(112)又或者两个模块都没有，然后再与101端连接；经过level shift 模块(114)和logic模块(115)或者仅有level shift模块(114)或者仅有logic模块 (115)又或者两个模块都没有，然后与102端连接。level shift模块(112和114)的主要作用是对输入电压进行调节，logic模块(113和115)的主要作用是对输入进行逻辑变换。 当脉宽调制波输入端102为高电平时，第二电路(111)图腾柱上管(1113)导通，接通驱动电压源VCC (103)到Ql的门极(1091)，于是门极(1091)和源极(1092)之间的偏置电压为驱动电压源VCC与端子(104)之间的偏置电压，Ql导通，103、105、106、109、104形成了自举电容的充电回路a，自本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种自举型门极驱动控制电路，包括一信号调制电路、一驱动控制电路、一自举型门极驱动电路，其特征为所述信号调制电路的输出端与所述驱动控制电路的输入端相连，所述驱动控制电路的输出端与所述自举型门极驱动电路的输入端相连，所述信号调制电路接受电信号，并根据此输出调制信号，所述驱动控制电路，接受所述调制信号，并根据此使能或者关断所述自举型门极驱动电路的上位管驱动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白永江，陈桥梁，王宁斌，孙巨禄，
申请(专利权)人：南京博兰得电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：84