SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种SiGe?HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管，有源区由浅槽场氧隔离，包括集电区、基区、发射区，基区和集电区通过离子注入形成于有源区中并且横向连接，基区和集电区底部分别连结有N型埋层和P型埋层，N型埋层和P型埋层分别形成于基区和集电区相邻的浅槽底部。发射区形成于基区上部的部分区域并和集电区相隔一横向距离。集电区、发射区以及基区分别通过各自顶部连接的重掺杂多晶硅引出。本发明专利技术还公开了SiGe?HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管的制造方法。本发明专利技术的器件能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，无须额外的工艺条件即可实现为电路提供多一种器件选择，还能降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种SiGe HBT工艺中的寄生横 向型PNP三极管，本专利技术还涉及该SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管的制造方法。
技术介绍
在射频应用中，需要越来越高的器件特征频率，RFCMOS虽然在先进的工艺技术中 可实现较高频率，但还是难以完全满足射频要求，如很难实现40GHz以上的特征频率，而且 先进工艺的研发成本也是非常高；化合物半导体可实现非常高的特征频率器件，但由于材 料成本高、尺寸小的缺点，加上大多数化合物半导体有毒，限制了其应用。SiGe异质结双极 晶体管(HBT)则是超高频器件的很好选择，首先其利用SiGe与Si的能带差别，提高发射区 的载流子注入效率，增大器件的电流放大倍数；其次利用SiGe基区的高掺杂，降低基区电 阻，提高特征频率；另外SiGe工艺基本与硅工艺相兼容，因此SiGe HBT已经成为超高频器 件的主流之一。现有SiGe HBT采用高掺杂的集电区埋层，以降低集电区电阻，采用高浓度高能量 N型注入，连接集电区埋层，形成集电极引出端(collectorpick-up)。集电区埋层上外延中 低掺杂的集电区，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＳｉＧｅ　ＨＢＴ工艺中的寄生横向型ＰＮＰ三极管，其特征在于：有源区由浅槽场氧隔离，包括一集电区、一基区、一发射区；有源区在横向上分成两部分区域，所述集电区由形成于有源区第一部分区域中的一Ｐ型杂质离子注入层构成，所述集电区底部连接一Ｐ型埋层，所述Ｐ型埋层形成于所述集电区旁侧的浅槽底部的，所述集电区通过在其顶部连接一Ｐ重掺杂多晶硅引出；所述基区由形成于有源区第二部分区域中且位于所述集电区旁侧的一Ｎ型杂质离子注入层构成，所述基区底部连接一Ｎ型埋层，所述Ｎ型埋层形成于所述基区旁侧的浅槽底部的，所述基区通过在其顶部连接一Ｎ重掺杂多晶硅引出；所述发射区由形成于基区上部的部分区域的一Ｐ型杂质离子注入...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，刘冬华，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31