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本发明公开了一种SiGe?HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管，有源区由浅槽场氧隔离，包括集电区、基区、发射区，基区和集电区通过离子注入形成于有源区中并且横向连接，基区和集电区底部分别连结有N型埋层和P型埋层，N型埋层和P型埋层分别形成于基...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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