发光装置及投影仪制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光装置及投影仪，该发光装置包括：第一层、第二层及由所述第一层和所述第二层夹持的结构体，所述结构体具有第一微细壁状构件、第二微细壁状构件及由该第一微细构件和第二微细构件夹持的半导体构件，所述第一及第二微细壁状构件具有：第三层、第四层及由该第三层和第四层夹持的第五层，所述第五层是产生光并且传导光的层，所述第三层及所述第四层是传导在所述第五层中产生的光的层，所述第一层及所述第二层是抑制在所述第五层中产生的光的泄漏的层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置及投影仪。
技术介绍
现已知有如下的发光装置在基板上形成由III族氮化物半导体构成的发光层， 从外部注入电流，在发光层内使电子与空穴复合而发光。在这样的发光装置中，有时会在发光层与基板之间产生应变。特别是，在使用了 InGaN作为发光层且使用了与^iGaN不同的材料(例如GaN)作为基板的情况下，会在两者之间产生晶格不匹配，因该晶格不匹配而使应变变大。一旦产生这样的应变，就会对发光层施加由压电效应造成的电场(压电电场)， 从而使电子与空穴的发光复合概率显著地降低。作为解决上述的问题的方法，例如有如下的方法，S卩，如专利文献1中记载的那样，将III族氮化物半导体制成微细柱状晶体结构，以缓解在发光层与基板之间产生的应变。专利文献1日本特开2008-169060号公报但是，在专利文献1所记载的技术中，由于微细柱状晶体结构的侧面是露出的，因此有时会产生与侧面附近的缺陷或杂质相伴的非发光复合，使发光效率降低的情况。
技术实现思路
本专利技术的以下几个实施方式的目的之一在于，提供一种发光效率高的发光装置。 另外，本专利技术的以下几个实施方式的目的之一在于，提供一种具有上述发光装置的投影仪。本专利技术的发光装置，包括第一层，其具有第一面；第二层，其具有与上述第一面对置的第二面；及结构体，其被上述第一面和上述第二面夹持，上述结构体具有第一微细壁状构件、第二微细壁状构件和半导体构件，上述第一微细壁状构件及上述第二微细壁状构件具有第三层，其与上述第一面邻接；第四层，其与上述第二面邻接；及第五层，其被上述第三层和上述第四层夹持，上述半导体构件被上述第一微细壁状构件和上述第二微细壁状构件夹持，上述第一层及上述第二层的材质为GaN，上述第三层、上述第四层、上述第五层及上述半导体构件的材质为hxGai_xN(0 < χ < 1)，上述第五层的χ的值比上述第三层的χ的值、上述第四层的χ的值及上述半导体构件的X的值大，上述第五层是产生光并且传导光的层，上述第三层及上述第四层是传导在上述第五层中产生的光的层，上述第一层及上述第二层是抑制在上述第五层中产生的光的泄漏的层。根据这样的发光装置，在第一微细壁状构件与第二微细壁状构件之间形成有半导体构件。由此，就可以抑制在第一微细壁状构件及第二微细壁状构件的侧面的非发光复合。 所以，在这样的发光装置中，可以在缓解在基板与结构体之间产生的应变，并且获得高发光效率。反过来说，如果不形成这样的半导体构件，而将微细壁状构件的侧面露出，则会产生与该侧面附近的缺陷或杂质相伴的非发光复合，从而会有发光效率降低的情况。此外，根据这样的发光装置，半导体构件的材质为InGaN，第一微细壁状构件及第二微细壁状构件的材质例如也为^GaN。由此，与在第一微细壁状构件及第二微细壁状构件之间形成例如由氧化硅或聚酰亚胺构成的绝缘构件的情况相比，可以使第一微细壁状构件及第二微细壁状构件与半导体构件的热膨胀系数接近。所以，在这样的发光装置中，例如即使因电流注入而放热，也可以减小因热膨胀而对结构体施加的应力，可以抑制由应力造成的发光效率的降低或寿命的降低。本专利技术的发光装置，包括第一层，其具有第一面；第二层，其具有与上述第一面对置的第二面；及结构体，其被上述第一面和上述第二面夹持，上述结构体具有第一微细壁状构件、第二微细壁状构件和半导体构件，上述第一微细壁状构件及上述第二微细壁状构件具有第三层，其与上述第一面邻接；第四层，其与上述第二面邻接；及第五层，其被上述第三层和上述第四层夹持，上述半导体构件被上述第一微细壁状构件和上述第二微细壁状构件夹持，上述第一层及上述第二层的材质为AWaN，上述第三层及上述第四层的材质为GaN，上述第五层及上述半导体构件的材质为LxGi^xN(0 < χ < 1)，上述第五层的χ的值比上述半导体构件的χ的值大，上述第五层是产生光并且传导光的层，上述第三层及上述第四层是传导在上述第五层中产生的光的层，上述第一层及上述第二层是抑制在上述第五层中产生的光的泄漏的层。根据这样的发光装置，同样地可以获得高发光效率。在本专利技术的发光装置中，上述半导体构件还可以形成于上述第一微细壁状构件的与上述第二微细壁状构件侧相反的相反一侧、以及上述第二微细壁状构件的与上述第一微细壁状构件侧相反的一侧。根据这样的发光装置，可以进一步抑制在第一微细壁状构件及第二微细壁状构件的侧面的非发光复合，从而可以获得更高的发光效率。在本专利技术的发光装置中，还可以包括还包括第六层，该第六层以将射出在上述第五层中产生的光的出射面覆盖的方式形成，上述第六层是抑制在上述第五层中产生的光的反射的层，上述第一微细壁状构件的有效折射率与上述半导体构件的有效折射率的差为 0.01以下，上述第二微细壁状构件的有效折射率与上述半导体构件的有效折射率的差为 0. 01以下。根据这样的发光装置，可以以将第一端面及第二端面覆盖的方式形成防反射层。 这样，就可以减小成为出射面的端面的反射率。由此，就可以不使光在端面间发生多重反射。其结果是，可以抑制端面间的激光振荡。此外，在这样的发光装置中可以是，第一微细壁状构件及第二微细壁状构件的有效折射率与半导体构件的有效折射率之差为0.01以下。 虽然详情后述，然而这样就可以抑制在活性层中产生的光在第一微细壁状构件与半导体构件的界面、以及第二微细壁状构件与半导体构件的界面中被反射。所以，可以不使之在第一微细壁状构件与半导体构件的界面、以及第二微细壁状构件与半导体构件的界面间发生多重反射。其结果是，可以抑制激光振荡。本专利技术的发光装置中可以是，上述第一微细壁状构件的有效折射率与上述半导体构件的有效折射率相同，上述第二微细壁状构件的有效折射率与上述半导体构件的有效折射率相同。根据这样的发光装置，可以可靠地抑制激光振荡。本专利技术的发光装置中可以是，上述第五层的χ的值为0.4以上0.6以下。根据这样的发光装置，可以射出绿色的光。本专利技术的发光装置中可以是，上述结构体具有第三面，其与上述第一面及上述第二面连接；及第四面，其与上述第一面及上述第二面连接，并与上述第三面对置，上述结构体的一部分形成为波导路径，从上述第一面的垂线方向俯视上述波导路径时，上述波导路径以与上述第一微细壁状构件及上述第二微细壁状构件交叉的方式被从上述第三面设置到上述第四面。根据这样的发光装置，可以获得高发光效率。本专利技术的发光装置中可以是，还包括第一电极，其与上述第一层电连接；第二电极，其与上述第二层电连接；及第七层，其被形成于上述第二层与上述第二电极之间，上述结构体具有第三面，其与上述第一面及上述第二面连接；及第四面，其与上述第一面及上述第二面连接，并与上述第三面对置，上述第七层与上述第二电极进行欧姆接触，从上述第一面的垂线方向俯视上述第七层与上述第二电极的接触面时，上述第七层与上述第二电极的接触面以与上述第一微细壁状构件及上述第二微细壁状构件交叉的方式被从上述第三面设置到上述第四面。根据这样的发光装置，可以利用第七层来减小第二电极的接触电阻。本专利技术的发光装置中可以是，上述第三层被掺杂为第一导电型，上述第四层被掺杂为第二导电型，上述半导体构件未被掺杂。根据这样的发光装置，可以使注入载流子(电子及空穴)避开半导体构件流入微细壁状构件。本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光装置，其特征在于，包括：第一层，其具有第一面；第二层，其具有与所述第一面对置的第二面；及结构体，其被所述第一面和所述第二面夹持，所述结构体具有第一微细壁状构件、第二微细壁状构件和半导体构件，所述第一微细壁状构件及所述第二微细壁状构件具有：第三层，其与所述第一面邻接；第四层，其与所述第二面邻接；及第五层，其被所述第三层和所述第四层夹持，所述半导体构件被所述第一微细壁状构件和所述第二微细壁状构件夹持，所述第一层及所述第二层的材质为ＧａＮ，所述第三层、所述第四层、所述第五层及所述半导体构件的材质为ＩｎｘＧａ１－ｘＮ，其中，０＜ｘ＜１，所述第五层的ｘ的值比所述第三层的ｘ的值、所述第四层的ｘ的值及所述半导体构件的ｘ的值大，所述第五层是产生光并且传导光的层，所述第三层及所述第四层是传导在所述第五层中产生的光的层，所述第一层及所述第二层是抑制在所述第五层中产生的光的泄漏的层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：望月理光，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP