横向排列的像素结构制造技术

本发明专利技术提供一种横向排列的像素结构，包括：水平相邻的两个主像素区，每个主像素区包括垂直相邻的三个次像素区；与两个主像素区一一对应的两条公共电极线，两条公共电极线中的一条公共电极线至少包括：第一边缘线，覆盖三个次像素区中一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且为U形；第二边缘线，覆盖三个次像素区中另一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且为U形；其中，所述三个次像素区中的一个次像素区与所述另一个次像素区垂直相邻；其中，第一边缘线的一个侧壁与第二边缘线的一个侧壁重叠，使所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“S”形或者“E”形。使用该技术方案就不需要在两个次像素区之间设计悬浮的平行于栅极线的遮光线了。

【技术实现步骤摘要】
横向排列的像素结构
本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种横向排列的像素结构。
技术介绍
现有技术中，显示面板的一个主像素区的三个子像素区的排列从左到右分别为R(红)，G(绿)，B(蓝)，其中，每个主像素区为正方形或者圆形，每个子像素区为长方形，且每个子像素区的短边与栅极线基本并行，每个子像素区的长边与数据线基本平行，通常这种子像素区的排列方式称为纵向排列。通常，在3D显示中，为了让人的左右眼看到不同的图像，置于显示面板前的光栅格子需要纵向排列，其中，一个光栅格子的大小与一个主像素区的大小相近；由于光栅格子所在的玻璃板与显示面板组装时的对位误差，导致光栅格子可能会遮挡住某个颜色，比如遮挡了红色子像素区的部分面积，从而造成严重的颜色偏离和色差。为了解决这个问题，现有技术提供了横向排列的像素结构，即将各颜色子像素区横向排列，这样即使光栅格子所在的玻璃板与显示面板组装时有对位误差，三个颜色的子像素区都会被挡住相同的面积，虽然每个子像素区的透光量有所下降，但是三个子像素区所形成的颜色不会有偏移。目前的像素横向排列方式包括以下几种：单栅极驱动的竖屏横用的像素横向排列方式和三栅极驱动的像素横向排列方式。现有技术中，对于横向排列的像素结构，其公共电极线通常与数据线平行，图1中示出了三栅极驱动的像素横向排列方式，从图1可以看出，公共电极线C与数据线D1和数据线D2平行，且覆盖次像素区的像素电极的边缘。
技术实现思路
本专利技术提供一种横向排列的像素结构及显示面板，其可适用于双栅极驱动。有鉴于此，本专利技术实施例提供：一种横向排列的像素结构，包括：水平相邻的两个主像素区，每个主像素区包括垂直相邻的三个次像素区；与两个主像素区一一对应的两条公共电极线，两条公共电极线中的一条公共电极线至少包括：第一边缘线，所述第一边缘线覆盖三个次像素区中一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且第一边缘线为U形；第二边缘线，所述第二边缘线覆盖三个次像素区中另一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且第二边缘线为U形；其中，所述三个次像素区中的一个次像素区与所述另一个次像素区垂直相邻；其中，第一边缘线的一个侧壁与第二边缘线的一个侧壁重叠，使所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“S”形或者“Ε”形。一种横向排列的像素结构，包括：垂直相邻的两个主像素区；其中，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；其中，所述垂直相邻的三个次像素区包括：第一次像素区、第二次像素区和第三次像素区；用于与两个主像素区中的像素电极形成储存电容的公共电极线；其中，所述公共电极线至少包括：第一边缘线，所述第一边缘线覆盖两个主像素区的一个主像素区中第三次像素区上的像素电极的部分边缘，且第一边缘线为U形；第二边缘线，所述第二边缘线覆盖两个主像素区的另一个主像素区中第一次像素区上的像素电极的部分边缘，且第二边缘线为U形；其中，第一边缘线的一个侧壁与第二边缘线的一个侧壁重叠，使所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“S”形或者“Ε”形。一种横向排列的像素结构，包括：水平相邻的两个主像素区，其中，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；用于与两个主像素区中水平相邻的两个次像素区上的像素电极形成储存电容的公共电极线；其中，所述公共电极线至少包括：第一边缘线，所述第一边缘线覆盖水平相邻的两个次像素区中一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且第一边缘线为U形；第二边缘线，所述第二边缘线覆盖水平相邻的两个次像素区中另一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且第二边缘线为U形；其中，第一边缘线的底部与第二边缘线的底部重叠，使所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“H”形。本专利技术实施例提供的公共电极线中分别覆盖两个次像素区上像素电极的部分边缘的第一边缘线和第二边缘线成U形，且第一边缘线的一个侧壁与第二边缘线的一个侧壁重叠，使第一边缘线和第二边缘线组合形成“S”形或者“Ε”形，或者，第一边缘线的底部与第二边缘线的底部重叠，使第一边缘线和第二边缘线组合形成“H”形，其中，第一边缘线和第二边缘线重叠的部分被两个次像素区所共用，用于为两个次像素区遮光，这样，就不需要在两个次像素区之间设计悬浮的平行于栅极线的遮光线了。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术提供的一种三栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种双栅极驱动的横向排列像素结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的基于图2的像素结构具体示意图；图4是本专利技术实施例提供的另一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的又一种双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的一种带有公共电极线的双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的另一种带有公共电极线的双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的又一种带有公共电极线的双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图；图14是本专利技术实施例提供的又一种带有公共电极线的双栅极驱动的横向排列的像素结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种双栅极驱动的横向排列的像素结构，其包括：多个像素单元，所述像素单元包括：两条栅极线和三条数据线；其中，两条栅极线包括：第一栅极线和第二栅极线，三条数据线包括：顺序排列的第一数据线、第二数据线和第三数据线；其中，两条栅极线设置于基板上并沿着第一方向平行排列；三条数据线设置于基板上并沿着第二方向平行排列；两条栅极线与三条数据线交叉，在一种具体的实施方式中，第一方向与第二方向垂直；水平相邻的两个主像素区，其中，每个主像素区分别包括垂直相邻的三个次像素区；三个次像素区分别为R(红)，G(绿)和B(蓝)；每个次像素的长边与第一方向基本平行，每个次像素的短边与第二方向基本平行。六个薄膜晶体管，分别设置于对应的次像素区内，即每个次像素区内有一个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极；其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，使三条数据线与六个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同，即第一数据线所电连接的薄膜晶体管、与第二数据线所电连接的薄膜晶体管、与第三数据线所电连接的薄膜晶体管完全不同，这样，就可以使三条数据线与六个薄膜晶体管的源极电连接；与同一条数据线电连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种横向排列的像素结构，其特征在于，包括：水平相邻的两个主像素区，每个主像素区包括垂直相邻的三个次像素区；与两个主像素区一一对应的两条公共电极线，两条公共电极线中的一条公共电极线至少包括：第一边缘线，所述第一边缘线覆盖三个次像素区中一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且第一边缘线为Ｕ形；第二边缘线，所述第二边缘线覆盖三个次像素区中另一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且第二边缘线为Ｕ形；其中，所述三个次像素区中的一个次像素区与所述另一个次像素区垂直相邻；其中，第一边缘线的一个侧壁与第二边缘线的一个侧壁重叠，使所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“Ｓ”形或者“Ｅ”形。

【技术特征摘要】
1.一种横向排列的像素结构，其特征在于，包括：多个重复单元；每个所述重复单元包括水平相邻的两个主像素区；每个主像素区包括垂直相邻的三个次像素区；与两个主像素区一一对应的两条公共电极线，两条公共电极线中的一条公共电极线至少包括：第一边缘线，所述第一边缘线覆盖三个次像素区中一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且第一边缘线为U形；第二边缘线，所述第二边缘线覆盖三个次像素区中另一个次像素区上的像素电极的部分边缘，且第二边缘线为U形；其中，所述三个次像素区中的一个次像素区与所述另一个次像素区垂直相邻；其中，第一边缘线的一个侧壁与第二边缘线的一个侧壁重叠，使所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“S”形或者“Ε”形；所述横向排列的像素结构还包括：六个薄膜晶体管，分别设置于水平相邻的两个主像素区中的次像素区内；两条栅极线和三条数据线；其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述三个次像素区中的一个次像素区与所述另一个次像素区之间没有栅极线。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述垂直相邻的三个次像素区包括第一次像素区、第二次像素区和第三次像素区；所述第一边缘线覆盖所述第一次像素区上的像素电极的部分边缘，且第一边缘线为U形；所述第二边缘线覆盖所述第二次像素区上的像素电极的部分边缘，且第二边缘线为U形。4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，两条栅极线包括：第一栅极线和第二栅极线；第一栅极线设置于第一次像素区的外侧，所述第一次像素区的外侧是背向第二次像素区的一侧；第二栅极线设置于第二次像素区与第三次像素区之间；所述第一主像素区的第一次像素区内薄膜晶体管的栅极与第一栅极线电连接，所述第一主像素区的第二次像素区内薄膜晶体管的栅极与第二栅极线电连接。5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，水平相邻的两个主像素区包括：第一主像素区和第二主像素区；三条数据线包括：第一数据线、第二数据线和第三数据线，其中，所述第一数据线位于第一主像素区的外侧，所述第一主像素区的外侧是背向第二主像素区的一侧；所述第二数据线位于第一主像素区和第二主像素区之间；所述第三数据线位于第二主像素区的外侧，所述第二主像素区的外侧是背向第一主像素区的一侧；当所述第一主像素区的第一次像素区内的薄膜晶体管的源极和所述第一主像素区的第二次像素区内的薄膜晶体管的源极都与第一数据线电连接时，所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“Ε”形，U形的第一边缘线的开口朝向第一数据线，U形的第二边缘线的开口朝向第一数据线；当所述第一主像素区的第一次像素区内的薄膜晶体管的源极和所述第一主像素区的第二次像素区内的薄膜晶体管的源极都与第二数据线电连接时，所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“Ε”形，U形的第一边缘线的开口朝向第二数据线，U形的第二边缘线的开口朝向第二数据线；当所述第一主像素区的第一次像素区内的薄膜晶体管的源极与第一数据线电连接，且所述第一主像素区的第二次像素区内的薄膜晶体管的源极与第二数据线电连接，所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“S”形；U形的第一边缘线的开口朝向第一数据线，U形的第二边缘线的开口朝向第二数据线；当所述第一主像素区的第一次像素区内的薄膜晶体管的源极与第二数据线电连接，且所述第一主像素区的第二次像素区内的薄膜晶体管的源极与第一数据线电连接，所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“S”形；U形的第一边缘线的开口朝向第二数据线，U形的第二边缘线的开口朝向第一数据线。6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一边缘线覆盖所述第二次像素区上的像素电极的部分边缘，且第一边缘线为U形；所述第二边缘线覆盖所述第三次像素区上的像素电极的部分边缘，且第一边缘线为U形。7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，两条栅极线包括：第一栅极线和第二栅极线；第一栅极线设置于第一次像素区与第二次像素区之间；第二栅极线设置于第三次像素区的外侧，所述第三次像素区的外侧是背向第二次像素区的一侧；所述第一主像素区的第二次像素区内薄膜晶体管的栅极与第一栅极线电连接，所述第一主像素区的第三次像素区内薄膜晶体管的栅极与第二栅极线电连接。8.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，水平相邻的两个主像素区包括：第一主像素区和第二主像素区；三条数据线包括：第一数据线、第二数据线和第三数据线，其中，所述第一数据线位于第一主像素区的外侧，所述第一主像素区的外侧是背向第二主像素区的一侧；所述第二数据线位于第一主像素区和第二主像素区之间；所述第三数据线位于第二主像素区的外侧，所述第二主像素区的外侧是背向第一主像素区的一侧；当所述第一主像素区的第二次像素区内的薄膜晶体管的源极和所述第一主像素区的第三次像素区内的薄膜晶体管的源极都与第一数据线电连接时，所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“Ε”形，U形的第一边缘线的开口朝向第一数据线，U形的第二边缘线的开口朝向第一数据线；当所述第一主像素区的第二次像素区内的薄膜晶体管的源极和所述第一主像素区的第三次像素区内的薄膜晶体管的源极都与第二数据线电连接时，所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“Ε”形，U形的第一边缘线的开口朝向第二数据线，U形的第二边缘线的开口朝向第二数据线；当所述第一主像素区的第二次像素区内的薄膜晶体管的源极与第一数据线电连接，且所述第一主像素区的第三次像素区内的薄膜晶体管的源极与第二数据线电连接，所述第一边缘线和所述第二边缘线组合形成“S”形；U形的第一边缘线的开口朝向第一数据线，U形的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周思思，夏志强，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31