液晶显示元件制造技术

本发明专利技术涉及一种液晶显示元件，其具备：薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的沿着上述薄膜晶体管的沟道长度方向的方向上的长度，比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及配置成辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的液晶显示元件。
技术介绍
近年来，开发了一种使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵型液晶显示元件。在有源矩阵型液晶显示元件中，为了将写入到像素电极中的显示信号电压保持到下一次的写入定时而形成有辅助电容。而且，该辅助电容由被配置成在其与像素电极之间夹设有绝缘层的辅助电容电极形成。不过，在对薄膜晶体管应用了反交错(inversely-staggered)构造(底栅 (bottom gate)构造)的部件的结构中，为了防止因从液晶层侧朝向该薄膜晶体管入射来的光而产生的光泄漏，公知兼用辅助电容电极来作为针对该光的遮光膜(例如日本特开 2004-341185号公报-图5)。即，公知有一种按照与薄膜晶体管重叠的方式，在源/漏电极层与像素电极层之间形成由铬、钼等遮光性的金属构成的辅助电容电极的方法。但是，由于辅助电容电极通过溅射法等被形成为在平坦形成的绝缘层上该辅助电容电极的下表面与绝缘层接触，所以导致辅助电容电极的下表面形成为镜面。因此，从形成有薄膜晶体管的基板侧朝向液晶层的光中、在该薄膜晶体管的附近通过且朝向辅助电容电极的光，以维持本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种液晶显示元件，其特征在于，具备：薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接；以及辅助电容电极，与上述像素电极之间形成辅助电容，并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠；上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极，该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成，该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层，上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度，比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村弥生，下牧伸一，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP