本发明专利技术公开了一种低噪声放大器保护开关，开关的公共端连接至天线，开关的发射端连接至负载，开关的接收端连接至低噪声放大器，公共端通过至少一个第一组二极管连接至发射端，公共端通过至少一个第二组二极管连接至接收端，其中，第一组二极管和第二组二极管均包括并联的二极管。本发明专利技术解决了现有技术中的低噪放保护开关功率容量小以及可靠性低的问题，进而达到了提高功率容量以及可靠性的效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信领域，具体而言，涉及一种低噪声放大器保护开关。
技术介绍
低噪声放大器保护开关的工作过程为当TDD (Time Division Duplex，时分双工系统)功放工作在功放发射状态时，这个开关的作用是使接收链路低噪放被隔离，并使反射回的射频信号传输至射频功率负载，此时开关起到了旁路射频大功率、保护低噪放的作用，故得名低噪放保护开关；在低噪放接收状态时，这个开关隔离负载，此时接通低噪放通路，完成接收放大。如图1所示，现有技术中，用在时分双工系统(Time Division Duplex，简称TDD) 中的低噪放保护开关在电路分布中位于环行器3端口和低噪放LNA(Low Noise Amplifier, 低噪声放大器)之间，控制着来自环形器3端口的射频信号。环行器3端口是下行功率反射链路和上行接收链路公用的一个射频口，环形器的1端口与放大器PA(Power Amplifier, 功率放大器)相连，2端口与天线ANT (Antenna，天线)相连，低噪放保护开关分别连接低噪声放大器LNA和负载。目前，市场上已经有为TDD功放、低噪放单元研发的系列化的开关电路模块和器件，开关电路模块有着占用PCBGlinted Circuit Board，印制电路板)面积小、所使用的介质基板相比普通的PCB板材导热系数高的优点。但是，其内部焊接工艺复杂，内部器件间用金线连接，所以其功率容量小，可靠性低，同时成本也较高。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种低噪声放大器保护开关，以解决现有技术中的低噪放保护开关功率容量小以及可靠性低的问题。根据本专利技术的一个方面，提供了一种低噪声放大器保护开关，开关的公共端连接至天线，开关的发射端连接至负载，开关的接收端连接至低噪声放大器，公共端通过至少一个第一组二极管连接至发射端，公共端通过至少一个第二组二极管连接至接收端，其中，第一组二极管和第二组二极管均包括并联的二极管。进一步地，低噪声放大器保护开关还包括第三二极管，第三二极管的一端连接至第二组二极管与接收端之间，第三二极管的另一端连接至地。进一步地，至少两个第一组二极管中的二极管数量不同。进一步地，至少两个第二组二极管中的二极管数量不同。进一步地，每个第一组二极管和第二组二极管包括至少两个二极管。 进一步地，第一组二极管与第二组二极管数量不同。进一步地，二极管之间通过微带线相连。进一步地，微带线长度小于1/4波长。进一步地，二极管为塑封PIN 二极管。进一步地，与公共端连接的第一组二极管中的二极管的阳极与公共端连接，与发射端连接的第一组二极管中的二极管的阴极与发射端连接，与公共端连接的第二组二极管中的二极管的阳极与公共端连接，与接收端连接的第二组二极管中的二极管的阴极与接收端连接。通过本专利技术，采用通过并联二极管降低阻抗，解决了现有技术中的低噪放保护开关功率容量小以及可靠性低的问题，进而达到了提高功率容量以及可靠性的效果。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中图1是根据相关技术的TDD功放中低噪放保护开关电路连接示意图；图2是根据本专利技术实施例的低噪声放大器保护开关的优选电路图；图3是根据本专利技术实施例的低噪声放大器保护开关的另一种电路图。具体实施例方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本专利技术中，单独使用二极管并联接入的开关必须使用1/4波长阻抗变换线，为适应功放板小型化的趋势，所以从二极管的串连开关电路进行设计。实施例1图2是根据本专利技术实施例的低噪声放大器保护开关的优选电路图，其中，图2中的低噪声放大器保护开关的公共端A连接至天线ANT，开关的发射端T连接至负载D4，开关的接收端R连接至低噪声放大器LNA，公共端A通过至少一个第一组二极管连接至发射端T， 公共端A通过至少一个第二组二极管连接至接收端R，其中，第一组二极管和第二组二极管均包括并联的二极管，第一组二极管包括并联的VD7和VD8，第二组二极管包括并联的VD9 和VD10。其中，如果包括多个二极管对，则第一组二极管之间串联连接，第二组二极管之间串联连接。优选的，与公共端A连接的第一组二极管中的二极管的阳极与公共端A连接，与发射端T连接的第一组二极管中的二极管的阴极与发射端T连接，与公共端A连接的第二组二极管中的二极管的阳极与公共端A连接，与接收端R连接的第二组二极管中的二极管的阴极与接收端R连接。即VD7和DU8的阳极与公共端A连接，阴极与发射端T连接，VD9 和DUlO的阳极与公共端A连接，阴极与接收端R连接。在本优选实施例中，采用通过并联二极管降低阻抗，解决了现有技术中的低噪放保护开关功率容量小以及可靠性低的问题，进而达到了提高功率容量以及可靠性的效果。优选的，低噪声放大器保护开关还包括第三二极管VD13，第三二极管VD13的一端连接至第二组二极管与接收端R之间，第三二极管VD13的另一端连接至地。在本优选实施例中，采用第三二极管VD13来提高低噪声放大器保护开关电路的隔离度。在本实施例中，由于开关连接低噪放LNA的支路对隔离度要求较高，在天线开路时，第三二极管VD13正偏导通，大功率信号到达大功率负载时，增加了与低噪放间的隔离度，同时，可以根据隔离度指标要求的高低，增减第三二极管的个数，使用灵活。当开关的发射支路工作时，即公共端A到发射端T的支路导通，从天线口 LNA反射回的射频信号，通过左支路传输到负载端D4，此时右支路的并联二极管反偏截止。同时，二极管VD13导通，从天线口 LNA反射到右支路的射频信号通过VD13到地，从而提高了隔离度，保护了低噪放。当开关的接收支路工作时，即公共端A到接收端R的支路导通，并联二极管VD9和 VDlO阳极均获得正偏电压，此时低噪放LNA接通。VD13阳极获得反偏电压并反偏截止，该反偏电压的目的是保证了引入的插损降到最低。发射支路的并联二极管(VD7、VD8)均反偏截止。优选的，至少两个第一组二极管中的二极管数量不同。在本优选实施例中，通过选用不同的二极管数量来实现不同开关电路的相同功能，并提高开关电路的可靠性和功率容量。当然，本专利技术并不局限于此，每个二极管对中的二极管数量可以相同。优选的，至少两个第二组二极管中的二极管数量不同。在本优选实施例中，通过选用不同的二极管数量来实现不同开关电路的相同功能，并提高开关电路的可靠性和功率容量。当然，本专利技术并不局限于此，每个二极管对中的二极管数量可以相同。优选的，每个第一组二极管和第二组二极管包括至少两个二极管。在本优选实施例中，由于开关电路与集成电路模块相比，所使用的二极管散热相对较差，为了保证天线到链路的功率传输能力，需要降低二极管的插损，对于要求较高的开关电路的插损指标，通过增加PIN 二极管的并联个数来满足要求，这种多个二极管的并联使用方法，可以提高开关电路的可靠性、提高开关电路的功率容量。优选的，第一组二极管与第二组二极管数量不同。在本优选实施例中，通过增加电路中并联PIN 二极管对的个数，即多组并联的二极管串联在一起使用，可以根据对隔离度指标的要求，本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种低噪声放大器保护开关，所述开关的公共端连接至天线，所述开关的发射端连接至负载，所述开关的接收端连接至低噪声放大器，其特征在于，所述公共端通过至少一个第一组二极管连接至所述发射端，所述公共端通过至少一个第二组二极管连接至所述接收端，其中，所述第一组二极管和所述第二组二极管均包括并联的二极管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙涵，张煜，李春阳，阮金龙，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94
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